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参数资料
| 型号： | MT48V2M32LFFC |
| 厂商： | Micron Technology, Inc. |
| 英文描述： | 512K x 32 x 4 banks 2.5V SDRAM(2.5V,512K x 32 x 4组同步动态RAM) |
| 中文描述： | 为512k × 32 × 4银行2.5V的内存电压（2.5V，512K采样× 32 × 4组同步动态RAM）的 |
| 文件页数： | 43/50页 |
| 文件大小： | 1058K |
| 代理商： | MT48V2M32LFFC |
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43
64Mb: x32 SDRAM, 2.5V
BatRam_25V.p65 – Rev. 0.7, Pub. 2/01
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
2001, Micron Technology, Inc.
64Mb: x32, 2.5V
SDRAM
PRELIMINARY
READ – FULL-PAGE BURST
1
NOTE:
1. For this example, the CAS latency = 2.
2. A8 and A9 = “ Don’t Care”
3. Page left open; no
t
RP.
*CAS latency indicated in parentheses.
t
CKH
t
CKS
t
CMH
t
CMS
t
HZ (3)
t
HZ (2)
t
HZ (1)
t
LZ
t
OH
t
RCD
1
1
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
2.5
1
2.5
2.5
1
25
7
8
22
7
8
22
1
1
2.5
20
2.5
20
TIMING PARAMETERS
-8
-10
SY MBOL*
t
AC (3)
t
AC (2)
t
AC (1)
t
AH
t
AS
t
CH
t
CL
t
CK (3)
t
CK (2)
t
CK (1)
MIN
MAX
7
8
22
MIN
MAX
UNITS
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
1
1
2.5
3
3
8
13
25
2.5
3
3
10
13
25
tCH
tCL
tCK
tAC
tLZ
tRCD
CAS Latency
CKE
CLK
DQ
A10
tOH
Dout
m
tCMH
tCMS
tAH
tAS
tAH
tAS
tAC
tOH
D
OUT
m
+1
ROW
ROW
tHZ
tAC
tOH
D
OUT
m
+1
tAC
tOH
D
OUT
m
+2
tAC
tOH
D
OUT
m
-1
tAC
tOH
D
OUT
m
Full-page burst does not self-terminate.
Can use BURST TERMINATE command.
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
Full page completed
256 locations within same row
DON’T CARE
UNDEFINED
COMMAND
tCMH
tCMS
NOP
NOP
NOP
ACTIVE
NOP
READ
NOP
BURST TERM
NOP
NOP
(
)
(
)
(
)
(
)
NOP
(
)
(
)
(
)
(
)
tAH
tAS
BANK
(
)
(
)
(
)
(
)
BANK
tCKH
tCKS
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
COLUMN
m
2
3
T0
T1
T2
T4
T3
T5
T6
Tn + 1
Tn + 2
Tn + 3
Tn + 4
BA0, BA1
DQM 0-3
A0-A9
-8
-10
SYMBOL*
MIN
MAX
MIN
MAX
UNITS
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| MT48V4M32LFFC | SYNCHRONOUS DRAM |
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参数描述 |
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| MT48V32M16S2FG-8 ES | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:DRAM CHIP MOBILE SDRAM 512MBIT 2.5V 54FBGA - Bulk |
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