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参数资料
| 型号： | NAND01GR3B2CN6F |
| 厂商： | NUMONYX |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 128M X 8 FLASH 1.8V PROM, 25000 ns, PDSO48 |
| 封装： | 12 X 20 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TSOP-48 |
| 文件页数： | 26/65页 |
| 文件大小： | 1473K |
| 代理商： | NAND01GR3B2CN6F |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页当前第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页第61页第62页第63页第64页第65页
Device operations
NAND01G-B2C
6.8
Read electronic signature
The device contains a manufacturer code and device code. To read these codes three steps
are required:
1.
One bus write cycle to issue the Read Electronic Signature command (90h)
2.
One bus write cycle to input the address (00h)
3.
Four bus read cycles to sequentially output the data (as shown in Table 12: Electronic
Table 12.
Electronic signature
Part number
byte/word 1
byte/word 2
byte/word 3
(see Table 13)
byte/word 4
(see Table 14)
Manufacturer
code
Device code
NAND01GR3B2C
20h
A1h
00h
15h
NAND01GW3B2C
F1h
1Dh
NAND01GR4B2C
B1h
55h
NAND01GW4B2C
C1h
5Dh
Table 13.
Electronic signature byte 3
I/O
Definition
Value
Description
I/O1-I/O0
Internal chip number
0 0
0 1
1 0
1 1
1
2
4
Reserved
I/O3-I/O2
Cell type
0 0
0 1
1 0
1 1
Single level cell
2x multilevel cell
Reserved
I/O5-I/O4
Number of simultaneously
programmed pages
0 0
0 1
1 0
1 1
1
2
3
4
I/O6
Interleaved programming
between multiple devices
0
1
Not supported
Supported
I/O7
Cache program
0
1
Not supported
Supported
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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| NAND01GR3B2CZA6 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory |
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