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参数资料
| 型号： | NAND01GR3B2CN6F |
| 厂商： | NUMONYX |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 128M X 8 FLASH 1.8V PROM, 25000 ns, PDSO48 |
| 封装： | 12 X 20 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TSOP-48 |
| 文件页数： | 65/65页 |
| 文件大小： | 1473K |
| 代理商： | NAND01GR3B2CN6F |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页第61页第62页第63页第64页当前第65页
NAND01G-B2C
Description
Figure 2.
Logic diagram
1.
x16 organization only available for MCP.
AI13101b
W
I/O8-I/O15, x16
VDD
NAND01G-B2C
E
VSS
WP
AL
CL
RB
R
I/O0-I/O7, x8/x16
Table 3.
Signal names
Signal
Function
Direction
I/O8-15
Data input/outputs for x16 devices
I/O
I/O0-7
Data input/outputs, address inputs, or command inputs
for x8 and x16 devices
I/O
AL
Address Latch Enable
Input
CL
Command Latch Enable
Input
E
Chip Enable
Input
R
Read Enable
Input
RB
Ready/Busy (open-drain output)
Output
W
Write Enable
Input
WP
Write Protect
Input
VDD
Supply voltage
Supply
VSS
Ground
Supply
NC
Not connected internally
–
DU
Do not use
–
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| NAND01GR3B3CZA1 | 128M X 8 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PBGA63 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| NAND01GR3B2CZA1F | 制造商:NUMONYX 制造商全称:Numonyx B.V 功能描述:1-Gbit, 2-Gbit, 2112-byte/1056-word page, 1.8 V/3 V, NAND flash memory |
| NAND01GR3B2CZA6 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory |
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