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参数资料
| 型号： | NAND01GR3B2CN6F |
| 厂商： | NUMONYX |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 128M X 8 FLASH 1.8V PROM, 25000 ns, PDSO48 |
| 封装： | 12 X 20 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TSOP-48 |
| 文件页数： | 59/65页 |
| 文件大小： | 1473K |
| 代理商： | NAND01GR3B2CN6F |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页当前第59页第60页第61页第62页第63页第64页第65页
Package mechanical
NAND01G-B2C
Figure 38.
VFBGA63 9 x 11 x 1.05 mm - 6 x 8 +15, 0.80 mm pitch, package outline
1.
Drawing is not to scale
E
D
e
D1
SD
FD
SE
b
A2
FE
A1
A
BGA-Z75
ddd
FD1
D2
E2
E1
e
FE1
BALL "A1"
Table 27.
VFBGA63 9 x 11 x 1.05 mm - 6 x 8 +15, 0.80 mm pitch, package mechanical data
Symbol
millimeters
inches
Typ
Min
Max
Typ
Min
Max
A
1.05
0.041
A1
0.25
0.010
A2
0.65
0.026
b
0.45
0.40
0.50
0.018
0.016
0.020
D
9.00
8.90
9.10
0.354
0.350
0.358
D1
4.00
0.157
D2
7.20
0.283
ddd
0.10
0.004
E
11.00
10.90
11.10
0.433
0.429
0.437
E1
5.60
0.220
E2
8.80
0.346
e
0.80
–
0.031
–
FD
2.50
0.098
FD1
0.90
0.035
FE
2.70
0.106
FE1
1.10
0.043
SD
0.40
–
0.016
–
SE
0.40
–
0.016
–
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NAND01GR3B3BV1T | 128M X 8 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PDSO48 |
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| NAND01GR3B3CZA1 | 128M X 8 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PBGA63 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| NAND01GR3B2CZA6 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory |
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