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参数资料
| 型号： | NAND01GR3B2CN6F |
| 厂商： | NUMONYX |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 128M X 8 FLASH 1.8V PROM, 25000 ns, PDSO48 |
| 封装： | 12 X 20 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TSOP-48 |
| 文件页数： | 54/65页 |
| 文件大小： | 1473K |
| 代理商： | NAND01GR3B2CN6F |
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DC and AC parameters
NAND01G-B2C
Figure 31.
Program/erase enable waveforms
Figure 32.
Program/erase disable waveforms
11.1
Ready/Busy signal electrical characteristics
signal. The value required for the resistor RP can be calculated using the following equation:
So,
where IL is the sum of the input currents of all the devices tied to the Ready/Busy signal. RP
max is determined by the maximum value of tr.
W
RB
tVHWH
ai12477
WP
I/O
80h
10h
W
RB
tVLWH
ai12478
WP
I/O
80h
10h
High
R
P
min
VDDmax VOLmax
–
()
IOL
IL
+
-------------------------------------------------------------
=
R
P
min 1.8V
()
1.85V
3mA
IL
+
---------------------------
=
R
P
min 3V
()
3.2V
8mA
IL
+
---------------------------
=
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PDF描述 |
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