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参数资料
| 型号： | NAND01GR3B2CN6F |
| 厂商： | NUMONYX |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 128M X 8 FLASH 1.8V PROM, 25000 ns, PDSO48 |
| 封装： | 12 X 20 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TSOP-48 |
| 文件页数： | 64/65页 |
| 文件大小： | 1473K |
| 代理商： | NAND01GR3B2CN6F |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页第61页第62页第63页当前第64页第65页
Description
NAND01G-B2C
Figure 1.
Logic block diagram
Table 2.
Product description
Reference
Part number
Density
Bus
width
Page
size
Block
size
Memory
array
Operating
voltage
Timings
Package
Random
access
time
(max)
Sequential
access
time
(min)
Page
Program
time
(typ)
Block
erase
(typ)
NAND01G
-B2C
NAND01GR3B2C
1 Gbit
x8
2048
+64
bytes
128K
+4K
bytes
64
pages x
1024
blocks
1.7 to
1.95 V
25 s
45 ns
200 s
2 ms
VFBGA63
NAND01GW3B2C
2.7 to
3.6 V
25 s
25 ns
TSOP48
NAND01GR4B2C
x16
1024
+32
words
64K+
2K
words
1.7 to
1.95 V
25 s
45 ns
(1)
NAND01GW4B2C
2.7 to
3.6 V
25 s
25 ns
1.
x16 organization only available for MCP.
Address
register/counter
Command
interface
logic
P/E controller,
high voltage
generator
WP
Buffers
E
W
AI14291
R
Y decoder
Page buffer
1024-Mbit + 32Mbit
NAND flash
memory array
X
decoder
I/O
Command register
Data register
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PDF描述 |
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