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参数资料
| 型号： | NAND01GR3B2CN6F |
| 厂商： | NUMONYX |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 128M X 8 FLASH 1.8V PROM, 25000 ns, PDSO48 |
| 封装： | 12 X 20 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TSOP-48 |
| 文件页数： | 60/65页 |
| 文件大小： | 1473K |
| 代理商： | NAND01GR3B2CN6F |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页当前第60页第61页第62页第63页第64页第65页
NAND01G-B2C
Ordering information
63/65
13
Ordering information
Note:
Not all combinations are necessarily available. For a list of available devices or for further
information on any aspect of these products, please contact your nearest Numonyx sales
office.
Table 28.
Ordering information scheme
Example:
NAND01GW3B2C ZA
6
E
Device type
NAND flash memory
Density
01G = 1 Gbit
Operating voltage
R = VDD = 1.7 to 1.95 V
W = VDD = 2.7 to 3.6 V
Bus width
3 = x8
4 = x16(1)
1.
x16 organization only available for MCP products.
Family identifier
B = 2112-byte/ 1056-word page
Device options
2 = chip enable don't care enabled
Product version
B = second version
C = third version
Package
N = TSOP48 12 x 20 mm
ZA = VFBGA63 9 x 11 x 1.05 mm, 0.8 mm pitch
Temperature range
1 = 0 to 70 °C
6 = –40 to 85 °C
Option
E = RoHS compliant package, standard packing
F = RoHS compliant package, tape & reel packing
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| NAND01GR3B2CZA1F | 制造商:NUMONYX 制造商全称:Numonyx B.V 功能描述:1-Gbit, 2-Gbit, 2112-byte/1056-word page, 1.8 V/3 V, NAND flash memory |
| NAND01GR3B2CZA6 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory |
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