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参数资料
| 型号： | NAND01GR3B2CN6F |
| 厂商： | NUMONYX |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 128M X 8 FLASH 1.8V PROM, 25000 ns, PDSO48 |
| 封装： | 12 X 20 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TSOP-48 |
| 文件页数： | 43/65页 |
| 文件大小： | 1473K |
| 代理商： | NAND01GR3B2CN6F |
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DC and AC parameters
NAND01G-B2C
Table 22.
DC characteristics, 1.8 V devices
Symbol
Parameter
Test conditions
Min
Typ
Max
Unit
IDD1
Operating current
Sequential
read
tRLRL minimum
E = VIL, IOUT = 0 mA
–10
20
mA
IDD2
Program
–
10
20
mA
IDD3
Erase
–
10
20
mA
IDD5
Standby current (CMOS)(1)
E = VDD – 0.2,
WP = 0/VDD
–
10
50
A
ILI
Input leakage current(1)
VIN = 0 to VDDmax
–
±10
A
ILO
Output leakage current(1)
VOUT = 0 to VDDmax
–
±10
A
VIH
Input high voltage
–
0.8xVDD
–
VDD +0.3
V
VIL
Input low voltage
–
-0.3
–
0.2xVDD
V
VOH
Output high voltage level
IOH = –100 A
VDD -0.1
–
V
VOL
Output low voltage level
IOL = 100 A
–
0.1
V
IOL (RB)
Output low current (RB)
VOL = 0.1 V
3
4
mA
VLKO
VDD supply voltage (erase and
program lockout)
–
1.1
V
1.
Leakage current and standby current double in stacked devices.
Table 23.
DC characteristics, 3 V devices
Symbol
Parameter
Test conditions
Min
Typ
Max
Unit
IDD1
Operating current
Sequential
Read
tRLRL minimum
E =VIL, IOUT =0mA
–15
30
mA
IDD2
Program
–
–15
30
mA
IDD3
Erase
–
–15
30
mA
IDD4
Standby current (TTL)(1)
E =VIH, WP =0/VDD
1
mA
IDD5
Standby current (CMOS)(1)
E = VDD – 0.2,
WP = 0/VDD
–
10
50
A
ILI
Input leakage current(1)
VIN = 0 to VDDmax
–
±10
A
ILO
Output leakage current(1)
VOUT = 0 to VDDmax
–
±10
A
VIH
Input high voltage
–
0.8xVDD
–
VDD +0.3
V
VIL
Input low voltage
–
-0.3
–
0.2xVDD
V
VOH
Output high voltage level
IOH =–400A
2.4
–
V
VOL
Output low voltage level
IOL =2.1 mA
–
0.4
V
IOL (RB)
Output low current (RB)
VOL =0.4 V
8
10
mA
VLKO
VDD supply voltage (erase and
program lockout)
–
1.8
V
1.
Leakage current and standby current double in stacked devices.
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