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参数资料
| 型号： | NAND01GR3B2CN6F |
| 厂商： | NUMONYX |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 128M X 8 FLASH 1.8V PROM, 25000 ns, PDSO48 |
| 封装： | 12 X 20 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TSOP-48 |
| 文件页数： | 32/65页 |
| 文件大小： | 1473K |
| 代理商： | NAND01GR3B2CN6F |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页当前第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页第61页第62页第63页第64页第65页
Device operations
NAND01G-B2C
128
M
I/O pin capacitance
Ele
c
trical
pa
rame
te
rb
loc
k
129-130
M
Timing mode support
Bit 6 to bit 15
Reserved (0)
Bit 5
1 = supports timing mode 5
Bit 4
1 = supports timing mode 4
Bit 3
1 = supports timing mode 3
Bit 2
1 = supports timing mode 2
Bit 1
1 = supports timing mode 1
Bit 0
1 = supports timing mode 0, shall be 1
131-132
O
Program cache timing mode support
Bit 6 to bit 15
Reserved (0)
Bit 5
1 = supports timing mode 5
Bit 4
1 = supports timing mode 4
Bit 3
1 = supports timing mode 3
Bit 2
1 = supports timing mode 2
Bit 1
1 = supports timing mode 1
Bit 0
1 = supports timing mode 0
133-134
M
tPROG maximum page program time (s)
135-136
M
tBERS maximum block erase time (s)
137-138
M
tR maximum page read time (s)
139-140
M
tCCS minimum change column setup
time (ns)
141-163
M
Reserved (0)
V
e
nd
or
bl
o
c
k
164-165
M
Vendor specific revision number
166-253
M
Vendor specific
254-255
M
Integrity CRC
Red.
pa
ram.
pag
e
s
256-511
M
Value of bytes 0-255
512-767
M
Value of bytes 0-255
768+
O
Additional redundant parameter pages
1.
O = optional, M = mandatory.
Table 16.
Parameter page data structure (continued)
Byte
O/M(1)
Description
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NAND01GR3B3BV1T | 128M X 8 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PDSO48 |
| NAND01GR3B3CV6 | 128M X 8 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PDSO48 |
| NAND01GW3B2AN6F | 128M X 8 FLASH 3V PROM, 25000 ns, PDSO48 |
| NAND08GW3B2CZC1 | 1G X 8 FLASH 3V PROM, 35 ns, PBGA63 |
| NAND01GR3B3CZA1 | 128M X 8 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PBGA63 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NAND01GR3B2CWFD | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Gel-pak, waffle pack, wafer, diced wafer on film |
| NAND01GR3B2CZA1 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory |
| NAND01GR3B2CZA1E | 制造商:NUMONYX 制造商全称:Numonyx B.V 功能描述:1-Gbit, 2-Gbit, 2112-byte/1056-word page, 1.8 V/3 V, NAND flash memory |
| NAND01GR3B2CZA1F | 制造商:NUMONYX 制造商全称:Numonyx B.V 功能描述:1-Gbit, 2-Gbit, 2112-byte/1056-word page, 1.8 V/3 V, NAND flash memory |
| NAND01GR3B2CZA6 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory |
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