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参数资料
| 型号： | NAND01GR3B2CN6F |
| 厂商： | NUMONYX |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 128M X 8 FLASH 1.8V PROM, 25000 ns, PDSO48 |
| 封装： | 12 X 20 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TSOP-48 |
| 文件页数： | 36/65页 |
| 文件大小： | 1473K |
| 代理商： | NAND01GR3B2CN6F |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页当前第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页第61页第62页第63页第64页第65页
NAND01G-B2C
Software algorithms
41/65
Figure 17.
Bad block management flowchart
Figure 18.
Garbage collection
Table 17.
NAND flash failure modes
Operation
Procedure
Erase
Block replacement
Program
Block replacement or ECC
Read
ECC
AI07588C
START
END
NO
YES
NO
Block Address =
Block 0
Data
= FFh?
Last
block?
Increment
Block Address
Update
Bad Block table
Valid
page
Invalid
page
Free
page
(erased)
Old area
AI07599B
New area (after GC)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| NAND01GR3B2CZA1F | 制造商:NUMONYX 制造商全称:Numonyx B.V 功能描述:1-Gbit, 2-Gbit, 2112-byte/1056-word page, 1.8 V/3 V, NAND flash memory |
| NAND01GR3B2CZA6 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory |
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