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参数资料
| 型号： | NT5SE8M16DS-6K |
| 厂商： | NANYA TECHNOLOGY CORP |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 8M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5 ns, PDSO54 |
| 封装： | 0.400 INCH, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP2-54 |
| 文件页数： | 11/64页 |
| 文件大小： | 1153K |
| 代理商： | NT5SE8M16DS-6K |
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NT5SV8M16DS / NT5SV8M16DT
NT5SE8M16DS / NT5SE8M16DT
128Mb Synchronous DRAM
REV 1.0
May 9, 2005
19
NANYA TECHNOLOGY CORPORATION
NANYA reserves the right to change products and specifications without notice.
Although a Read Command with auto-precharge can not be interrupted by a command to the same bank, it can be interrupted
by a Read or Write Command to a different bank. If the command is issued before auto-precharge begins then the precharge
function will begin with the new command. The bank being auto-precharged may be reactivated after the delay tRP.
If interrupting a Read Command with auto-precharge with a Write Command, DQM must be used to avoid DQ contention.
Burst Read with Auto-Precharge Interrupted by Read
Burst Read with Auto-Precharge Interrupted by Write
tRP
COMMAND
NOP
READ A
Auto-Precharge
CK
T0
T2
T1
T3
T4
T5
T6
T7
T8
NOP
tRP
tCK2, DQs
CAS latency = 2
tCK3, DQs
CAS latency = 3
*Bank can be reactivated at completion of tRP.
DOUT A0
DOUT A1
NOP
DOUT A0
DOUT A1
DOUT B0
DOUT B1
READ B
DOUT B2
DOUT B3
DOUT B0
DOUT B1
DOUT B2
DOUT B3
tRP is a function of clock cycle time and speed sort.
See the Clock Frequency and Latency table.
*
(Burst Length = 4, CAS Latency = 2, 3)
COMMAND
NOP
READ A
Auto-Precharge
tRP
CK
T0
T2
T1
T3
T4
T5
T6
T7
T8
NOP
t
CK2, DQs
CAS latency = 2
DQM
NOP
DOUT A0
DIN B0
DIN B1
WRITE B
DIN B2
DIN B3
NOP
DIN B4
*Bank can be reactivated at completion of tRP.
tRP is a function of clock cycle time and speed sort..
See the Clock Frequency and Latency table.
*
(Burst Length = 8, CAS Latency = 2)
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PDF描述 |
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