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参数资料
| 型号： | NT5SE8M16DS-6K |
| 厂商： | NANYA TECHNOLOGY CORP |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 8M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5 ns, PDSO54 |
| 封装： | 0.400 INCH, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP2-54 |
| 文件页数： | 29/64页 |
| 文件大小： | 1153K |
| 代理商： | NT5SE8M16DS-6K |
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NT5SV8M16DS / NT5SV8M16DT
NT5SE8M16DS / NT5SE8M16DT
128Mb Synchronous DRAM
REV 1.0
May 9, 2005
35
NANYA TECHNOLOGY CORPORATION
NANYA reserves the right to change products and specifications without notice.
DC Electrical Characteristics (T
A = 0 to +70°C, V
DD = 3.3V ±0.3V)
Symbol
Parameter
Min.
Max.
Units
II(L)
Input Leakage Current, any input
(0.0V
≤ VIN ≤ VDD), All Other Pins Not Under Test = 0V
-1
+1
A
IO(L)
Output Leakage Current
(DOUT is disabled, 0.0V ≤ VOUT ≤ VDDQ)
-1
+1
A
VOH
Output Level (LVTTL)
Output “H” Level Voltage (IOUT = -2.0mA)
2.4
—
V
VOL
Output Level (LVTTL)
Output “L” Level Voltage (IOUT = +2.0mA)
—0.4
V
DC Output Load Circuit
Output
1200
50pF
3.3 V
870
VOH (DC) = 2.4V, IOH = -2mA
VOL (DC) = 0.4V, IOL = 2mA
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PDF描述 |
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