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参数资料
| 型号： | NT5SE8M16DS-6K |
| 厂商： | NANYA TECHNOLOGY CORP |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 8M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5 ns, PDSO54 |
| 封装： | 0.400 INCH, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP2-54 |
| 文件页数： | 19/64页 |
| 文件大小： | 1153K |
| 代理商： | NT5SE8M16DS-6K |
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NT5SV8M16DS / NT5SV8M16DT
NT5SE8M16DS / NT5SE8M16DT
128Mb Synchronous DRAM
REV 1.0
May 9, 2005
26
NANYA TECHNOLOGY CORPORATION
NANYA reserves the right to change products and specifications without notice.
Power Down Mode
In order to reduce standby power consumption, two power down modes are available: Precharge and Active Power Down
mode. To enter Precharge Power Down mode, all banks must be precharged and the necessary precharge delay (tRP) must
occur before the SDRAM can enter the power down mode. If a bank is activated but not performing a Read or Write operation,
Active Power Down mode will be entered. (Issuing a Power Down Mode Command when the device is performing a Read or
Write operation causes the device to enter Clock Suspend mode. See the following Clock Suspend section.) Once the Power
Down mode is initiated by holding CKE low, all of the receiver circuits except CKE are gated off. The Power Down mode does
not perform any refresh operations, therefore the device can’t remain in Power Down mode longer than the Refresh period
(tREF) of the device.
The Power Down mode is exited by bringing CKE high. When CKE goes high, a No Operation Command (or Device Deselect
Command) is required on the next rising clock edge.
Power Down Mode Exit Timing
COMMAND
NOP
COMMAND
NOP
CKE
: “H” or “L”
CK
Tm
Tm+2
Tm+1
Tm+3
Tm+4
Tm+5
Tm+6
Tm+7
Tm+ 8
tCES(min)
tCK
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PDF描述 |
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参数描述 |
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