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参数资料
| 型号： | NT5SE8M16DS-6K |
| 厂商： | NANYA TECHNOLOGY CORP |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 8M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5 ns, PDSO54 |
| 封装： | 0.400 INCH, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP2-54 |
| 文件页数： | 17/64页 |
| 文件大小： | 1153K |
| 代理商： | NT5SE8M16DS-6K |
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NT5SV8M16DS / NT5SV8M16DT
NT5SE8M16DS / NT5SE8M16DT
128Mb Synchronous DRAM
REV 1.0
May 9, 2005
24
NANYA TECHNOLOGY CORPORATION
NANYA reserves the right to change products and specifications without notice.
Burst write operations will be terminated by the Precharge command. The last write data that will be properly stored in the
device is that write data that is presented to the device a number of clock cycles prior to the Precharge command equal to the
Data-in to Precharge delay, tDPL.
Precharge Termination of a Burst Write
COMMAND
NOP
WRITE Ax0
CK
T0
T2
T1
T3
T4
T5
T6
T7
T8
NOP
DIN Ax1
DIN Ax2
tDPL
DIN Ax0
tCK2, DQs
CAS latency = 2
NOP
DIN Ax1
DIN Ax2
DIN Ax0
tCK3, DQs
CAS latency = 3
DQM
Precharge A
t
DPL is an asynchronous timing and may be completed in one or two clock cycles
depending on clock cycle time.
(Burst Length = 8, CAS Latency = 2, 3)
tDPL
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PDF描述 |
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