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参数资料
| 型号： | NT5SE8M16DS-6K |
| 厂商： | NANYA TECHNOLOGY CORP |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 8M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5 ns, PDSO54 |
| 封装： | 0.400 INCH, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP2-54 |
| 文件页数： | 4/64页 |
| 文件大小： | 1153K |
| 代理商： | NT5SE8M16DS-6K |
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NT5SV8M16DS / NT5SV8M16DT
NT5SE8M16DS / NT5SE8M16DT
128Mb Synchronous DRAM
REV 1.0
May 9, 2005
12
NANYA TECHNOLOGY CORPORATION
NANYA reserves the right to change products and specifications without notice.
Read Interrupted by a Write
To interrupt a burst read with a Write Command, DQM may be needed to place the DQs (output drivers) in a high impedance
state to avoid data contention on the DQ bus. If a Read Command will issue data on the first or second clocks cycles of the
write operation, DQM is needed to insure the DQs are tri-stated. After that point the Write Command will have control of the DQ
bus.
Minimum Read to Write Interval
COMMAND
NOP
READ A
WRITE A
NOP
DQM
DIN A0
DIN A1
DIN A2
DIN A3
: “H” or “L”
DIN A0
DIN A1
DIN A2
DIN A3
tCK2, DQs
CAS latency = 2
tCK3, DQs
CAS latency = 3
CK
T0
T2
T1
T3
T4
T5
T6
T7
T8
NOP
(Burst Length = 4, CAS latency = 2, 3)
DQM high for CAS latency = 2 only.
Required to mask first bit of READ data.
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PDF描述 |
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