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参数资料
| 型号： | NT5SE8M16DS-6K |
| 厂商： | NANYA TECHNOLOGY CORP |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 8M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5 ns, PDSO54 |
| 封装： | 0.400 INCH, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP2-54 |
| 文件页数： | 16/64页 |
| 文件大小： | 1153K |
| 代理商： | NT5SE8M16DS-6K |
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NT5SV8M16DS / NT5SV8M16DT
NT5SE8M16DS / NT5SE8M16DT
128Mb Synchronous DRAM
REV 1.0
May 9, 2005
23
NANYA TECHNOLOGY CORPORATION
NANYA reserves the right to change products and specifications without notice.
Precharge Termination
The Precharge Command may be used to terminate either a burst read or burst write operation. When the Precharge command
is issued, the burst operation is terminated and bank precharge begins. For burst read operations, valid data will continue to
appear on the data bus as a function of CAS Latency.
Burst Read Interrupted by Precharge
COMMAND READ Ax0
NOP
tCK2, DQs
CAS latency = 2
CK
T0
T2
T1
T3
T4
T5
T6
T7
T8
DOUT Ax0
DOUT Ax1
DOUT Ax2
DOUT Ax3
Precharge A
tCK3, DQs
CAS latency = 3
DOUT Ax0
DOUT Ax1
DOUT Ax2
DOUT Ax3
tRP
*
Bank A can be reactivated at completion of tRP.
*
See the Clock Frequency and Latency table.
(Burst Length = 8, CAS Latency = 2, 3)
tRP is a function of clock cycle time and speed sort.
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PDF描述 |
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