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参数资料
| 型号： | PF38F40L0YUQ0 |
| 厂商： | NUMONYX |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 16M X 16 FLASH 1.8V PROM, PBGA88 |
| 封装： | 8 X 11 MM, 1 MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT, VFBGA-88 |
| 文件页数： | 17/99页 |
| 文件大小： | 1419K |
| 代理商： | PF38F40L0YUQ0 |
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Intel StrataFlash Wireless Memory (L18)
Intel StrataFlash Wireless Memory (L18) with A/D-Multiplexed I/O
Datasheet
July 2006
24
Order Number: 313295-002US
7.4
AC Read Specifications for 64- and 128-Mb Densities
R200 f
CLK
CLK frequency
47
MHz
1,3
R201 t
CLK
CLK period
21.3
ns
R202 t
CH/CL
CLK high/low time
4.5
ns
R203 t
FCLK/RCLK
CLK fall/rise time
3ns
Synchronous Specifications
R301 t
AVCH/L
Address setup to CLK
7
ns
1
R302 t
VLCH/L
ADV# low setup to CLK
7
ns
R303 t
ELCH/L
CE# low setup to CLK
7
ns
R304 tCHQV /
tCLQV
CLK to output valid
17
ns
R305 t
CHQX
Output hold from CLK
3
ns
1,5
R306 t
CHAX
Address hold from CLK
7
ns
1,4,5
R307 t
CHTV
CLK to WAIT valid
17
ns
1,5
R311 t
CHVL
CLK Valid to ADV# Setup
0
ns
1
R312 t
CHTX
WAIT Hold from CLK
3
ns
1,5
Table 8.
AC Read Specifications (V
CCQ
= 1.7 V – 2.0 V) (Sheet 1 of 2)
Num
Symbol
Parameter
AllDensities
Speed
-85
Unit
s
Notes
Min
Max
Asynchronous Specifications
R1
t
AVAV
Read cycle time
85
ns
1,6
R2
tAVQV
Address to output valid
85
ns
R3
t
ELQV
CE# low to output valid
85
ns
R4
t
GLQV
OE# low to output valid
20
ns
1,2
R5
t
PHQV
RST# high to output valid
150
ns
1
R6
t
ELQX
CE# low to output in low-Z
0
ns
1,3
R7
t
GLQX
OE# low to output in low-Z
0
ns
1,2,3
R8
t
EHQZ
CE# high to output in high-Z
17
ns
1,3
R9
t
GHQZ
OE# high to output in high-Z
17
ns
R10
t
OH
Output hold from first occurring address,
CE#, or OE# change
0ns
R11
t
EHEL
CE# pulse width high
14
ns
1
R12
t
ELTV
CE# low to WAIT valid
14
ns
R13
t
EHTZ
CE# high to WAIT high Z
14
ns
1,3
R14
t
GHTV
OE# high to WAIT Valid
14
ns
1
R15
t
GLTV
OE# low to WAIT Valid
14
ns
Table 7.
AC Read Specifications (V
CCQ
= 1.35 V – 2.0 V)
Num Symbol
Parameter
All
Densities
Speed
-90
Unit
s
Notes
Min Max
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