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参数资料
| 型号： | PF38F40L0YUQ0 |
| 厂商： | NUMONYX |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 16M X 16 FLASH 1.8V PROM, PBGA88 |
| 封装： | 8 X 11 MM, 1 MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT, VFBGA-88 |
| 文件页数： | 90/99页 |
| 文件大小： | 1419K |
| 代理商： | PF38F40L0YUQ0 |
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Intel StrataFlash Wireless Memory (L18)
Intel StrataFlash Wireless Memory (L18) with A/D-Multiplexed I/O
Datasheet
July 2006
90
Order Number: 313295-002US
B.5
Device Geometry Definition
Table 30. Device Geometry Definition
Offset
Length
Description
Code
27h
1
“n” such that device size = 2
n in number of bytes
27:
See table below
7
6
54
32
1
0
28h
2
—
x64
x32
x16
x8
28:
--01
x16
15
14
13
12
11
10
9
8
—
——
—
29:
--00
2Ah
2
“n” such that maximum number of bytes in write buffer = 2
n
2A:
--06
64
2B:
--00
2Ch
1
2C:
2Dh
4
Erase Block Region 1 Information
2D:
bits 0–15 = y, y+1 = number of identical-size erase blocks
2E:
bits 16–31 = z, region erase block(s) size are z x 256 bytes
2F:
30:
31h
4
Erase Block Region 2 Information
31:
bits 0–15 = y, y+1 = number of identical-size erase blocks
32:
bits 16–31 = z, region erase block(s) size are z x 256 bytes
33:
34:
35h
4
Reserved for future erase block region information
35:
36:
37:
38:
Flash device interface code assignment:
"n" such that n+1 specifies the bit field that represents the flash
device width capabilities as described in the table:
Number of erase block regions (x) within device:
1. x = 0 means no erase blocking; the device erases in bulk
2. x specifies the number of device regions with one or
more contiguous same-size erase blocks.
3. Symmetrically blocked partitions have one blocking region
See table below
Address
64 Mbit
–B
–T
–B
–T
–B
–T
27:
--17
--18
--19
28:
--01
29:
--00
2A:
--06
2B:
--00
2C:
--02
2D:
--03
--3E
--03
--7E
--03
--FE
2E:
--00
2F:
--80
--00
--80
--00
--80
--00
30:
--00
--02
--00
--02
--00
--02
31:
--3E
--03
--7E
--03
--FE
--03
32:
--00
33:
--00
--80
--00
--80
--00
--80
34:
--02
--00
--02
--00
--02
--00
35:
--00
36:
--00
37:
--00
38:
--00
128 Mbit
256 Mbit
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PDF描述 |
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