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参数资料
| 型号： | PF38F40L0YUQ0 |
| 厂商： | NUMONYX |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 16M X 16 FLASH 1.8V PROM, PBGA88 |
| 封装： | 8 X 11 MM, 1 MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT, VFBGA-88 |
| 文件页数： | 88/99页 |
| 文件大小： | 1419K |
| 代理商： | PF38F40L0YUQ0 |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页第61页第62页第63页第64页第65页第66页第67页第68页第69页第70页第71页第72页第73页第74页第75页第76页第77页第78页第79页第80页第81页第82页第83页第84页第85页第86页第87页当前第88页第89页第90页第91页第92页第93页第94页第95页第96页第97页第98页第99页
Intel StrataFlash Wireless Memory (L18) with A/D-Multiplexed I/O
July 2006
Datasheet
Order Number: 313295-002US
89
Intel StrataFlash Wireless Memory (L18)
Table 29. System Interface Information
Offset
Length
Description
Add.
Hex
Code
Value
1Bh
1
1B:
--17
1.7V
1Ch
1
1C:
--20
2.0V
1Dh
1
1D:
--85
8.5V
1Eh
1
1E:
--95
9.5V
1Fh
1
“n” such that typical single word program time-out = 2
n -sec
1F:
--08
256s
20h
1
“n” such that typical max. buffer write time-out = 2
n -sec
20:
--09
512s
21h
1
“n” such that typical block erase time-out = 2
n m-sec
21:
--0A
1s
22h
1
“n” such that typical full chip erase time-out = 2
n m-sec
22:
--00
NA
23h
1
“n” such that maximum word program time-out = 2
n times typical
23:
--01
512s
24h
1
“n” such that maximum buffer write time-out = 2
n times typical
24:
--01
1024s
25h
1
“n” such that maximum block erase time-out = 2
n times typical
25:
--02
4s
26h
1
“n” such that maximum chip erase time-out = 2
n times typical
26:
--00
NA
VCC logic supply minimum program/erase voltage
bits 0–3 BCD 100 mV
bits 4–7 BCD volts
VCC logic supply maximum program/erase voltage
bits 0–3 BCD 100 mV
bits 4–7 BCD volts
VPP [programming] supply minimum program/erase voltage
bits 0–3 BCD 100 mV
bits 4–7 HEX volts
VPP [programming] supply maximum program/erase voltage
bits 0–3 BCD 100 mV
bits 4–7 HEX volts
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