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参数资料
| 型号： | RC28F160C3BD70 |
| 厂商： | INTEL CORP |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 1M X 16 FLASH 3V PROM, 70 ns, PBGA64 |
| 封装： | BGA-64 |
| 文件页数： | 17/72页 |
| 文件大小： | 1083K |
| 代理商： | RC28F160C3BD70 |
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Intel Advanced+ Boot Block Flash Memory (C3)
May 2005
Intel Advanced+ Boot Block Flash Memory (C3)
Datasheet
24
Order Number: 290645, Revision: 023
6.2
DC Voltage Characteristics
Table 7.
DC Voltage Characteristics
Sym
Parameter
VCC
2.7 V–3.6 V
2.7 V–2.85 V
2.7 V–3.3 V
Unit
Test Conditions
VCCQ
2.7 V–3.6 V
1.65 V–2.5 V
1.8 V–2.5 V
Note
Min
Max
Min
Max
Min
Max
VIL
Input Low
Voltage
–0.4
VCC *
0.22 V
–0.4
0.4
–0.4
0.4
V
VIH
Input High
Voltage
2.0
VCCQ
+0.3V
VCCQ –
0.4V
VCCQ
+0.3V
VCCQ –
0.4V
VCCQ
+0.3V
V
VOL
Output Low
Voltage
–0.1
0.1
-0.1
0.1
-0.1
0.1
V
VCC = VCCMin
VCCQ = VCCQMin
IOL = 100 A
VOH
Output High
Voltage
VCCQ
–0.1V
VCCQ –
0.1V
VCCQ –
0.1V
V
VCC = VCCMin
VCCQ = VCCQMin
IOH = –100 A
VPPLK
VPP Lock-
Out Voltage
1
1.0
V
Complete Write
Protection
VPP1
VPP during
Program /
Erase
Operations
1
1.65
3.6
1.65
3.6
1.65
3.6
V
VPP2
1,2
11.4
12.6
11.4
12.6
11.4
12.6
V
VLKO
VCC Prog/
Erase
Lock
Voltage
1.5
V
VLKO2
VCCQ Prog/
Erase
Lock
Voltage
1.2
V
Notes:
1.
Erase and Program are inhibited when VPP < VPPLK and not guaranteed outside the valid VPP ranges of VPP1 and VPP2.
2.Applying VPP = 11.4 V–12.6 V during program/erase can only be done for a maximum of 1000 cycles on the main blocks and
2500 cycles on the parameter blocks. VPP may be connected to 12 V for a total of 80 hours maximum.
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