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参数资料
| 型号： | RC28F160C3BD70 |
| 厂商： | INTEL CORP |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 1M X 16 FLASH 3V PROM, 70 ns, PBGA64 |
| 封装： | BGA-64 |
| 文件页数： | 20/72页 |
| 文件大小： | 1083K |
| 代理商： | RC28F160C3BD70 |
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Intel Advanced+ Boot Block Flash Memory (C3)
Datasheet
Intel Advanced+ Boot Block Flash Memory (C3)
May 2005
Order Number: 290645, Revision: 023
27
Table 10.
Read Operations—32-Mbit Density
#Sym
Parameter
Density
32 Mbit
Notes
Product
70 ns
90 ns
100 ns
110 ns
VCC
2.7 V–3.6 V
3.0 V–3.3 V
2.7 V–3.3 V
3.0 V–3.3 V
2.7 V–3.3 V
Min
(ns)
Max
(ns)
Min
(ns)
Max
(ns)
Min
(ns)
Max
(ns)
Min
(ns)
Max
(ns)
Min
(ns)
Max
(ns)
Min
(ns)
Max
(ns)
R1
tAVAV
Read Cycle Time
70
90
100
110
3,4
R2
tAVQV
Address to Output
Delay
70
90
100
110
3,4
R3
tELQV
CE# to Output Delay
70
90
100
110
1,3,4
R4
tGLQV
OE# to Output Delay
20
30
1,3,4
R5
tPHQV
RP# to Output Delay
150
3,4
R6
tELQX
CE# to Output in Low Z
00
0
2,3,4
R7
tGLQX
OE# to Output in Low Z
00
0
2,3,4
R8
tEHQZ
CE# to Output in High Z
20
2,3,4
R9
tGHQZ
OE# to Output in High
Z
20
2,3,4
R10
tOH
Output Hold from
Address, CE#, or OE#
Change, Whichever
Occurs First
00
0
2,3,4
Notes:
1.OE# may be delayed up to tELQV–tGLQV after the falling edge of CE# without impact on tELQV.
2.Sampled, but not 100% tested.
4.
See Figure 11, “AC Input/Output Reference Waveform” on page 33 for timing measurements and maximum
allowable input slew rate.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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