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参数资料
| 型号： | W9725G6KB-25I |
| 厂商： | Winbond Electronics |
| 文件页数： | 13/87页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DDR2 SDRAM 256MBIT 84WBGA |
| 标准包装： | 209 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | DDR2 SDRAM |
| 存储容量： | 256M（16Mx16） |
| 速度： | 2.5ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 1.7 V ~ 1.9 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 95°C |
| 封装/外壳： | 84-TFBGA |
| 供应商设备封装： | 84-WBGA（8x12.5） |
| 包装： | * |
| 其它名称： | Q7118748 |
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W9725G6KB
8.2.2.3
Extend Mode Register Set Command (2), EMR (2)
( CS = "L", RAS = "L", CAS = "L", WE = "L", BA0 = "L", BA1 = "H", A0 to A12 = Register data)
The extended mode register (2) controls refresh related features. The default value of the extended
mode register (2) is not defined, therefore the extended mode register (2) must be programmed during
initialization for proper operation.
The DDR2 SDRAM should be in all bank precharge state with CKE already high prior to writing into
the extended mode register (2). The mode register set command cycle time (t MRD ) must be satisfied to
complete the write operation to the extended mode register (2). Mode register contents can be
changed using the same command and clock cycle requirements during normal operation as long as
all banks are in the precharge state.
BA1
BA0
A12
A11
A10
A9
A8
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
Address Field
1
BA1
0
0
1
0
BA0
0
1
0
MRS mode
MRS
EMR (1)
EMR (2)
0* 1
SELF
A7
0
1
0* 1
High Temperature Self Refresh Rate Enable
Disable
Enable* 2
Extended Mode Register (2)
1
1
EMR (3)
Notes:
1. The rest bits in EMR (2) is reserved for future use and all bits in EMR (2) except A7, BA0 and BA1 must be programmed to 0
when setting the extended mode register (2) during initialization.
2. When DRAM is operated at 85°C < T CASE ≤ 95 °C or 105°C the extended Self Refresh rate must be enabled by setting bit
A7 to “ 1 ” before the Self Refresh mode can be entered.
Figure 4 – EMR (2)
Publication Release Date: Sep. 03, 2012
- 13 -
Revision A03
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PDF描述 |
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