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参数资料
| 型号： | W9725G6KB-25I |
| 厂商： | Winbond Electronics |
| 文件页数： | 82/87页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DDR2 SDRAM 256MBIT 84WBGA |
| 标准包装： | 209 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | DDR2 SDRAM |
| 存储容量： | 256M（16Mx16） |
| 速度： | 2.5ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 1.7 V ~ 1.9 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 95°C |
| 封装/外壳： | 84-TFBGA |
| 供应商设备封装： | 84-WBGA（8x12.5） |
| 包装： | * |
| 其它名称： | Q7118748 |
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W9725G6KB
11.25 Burst read with Auto-precharge followed by an activation to the same
bank (t RP Limit): RL=5 (AL=2, CL=3, internal t RCD =3, BL=4, t RTP ≤ 2clks)
T0
T1
T2
T3
T4
T5
T6
T7
T8
CLK/CLK
CMD
Post CAS
READA
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
Bank A
Activate
NOP
A10 = 1
DQS,
DQS
≥ t RAS min.
Auto-precharge begins
AL = 2
RL = 5
CL = 3
t RP min.
DQ's
Dout
A0
Dout
A1
Dout
A2
Dout
A3
≥ t RC
11.26 Burst write with Auto-precharge (t RC Limit): WL=2, WR=2, BL=4, tRP=3
T0
T1
T2
T3
T4
T5
T6
T7
Tm
CLK/CLK
CMD
Post CAS
WRA Bank A
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
Bank A
Activate
DQS,
A10 = 1
Completion of the Burst Write
Auto-precharge Begins
DQS
WL= RL- 1 = 2
≥ WR
≥ t RP
DQ's
DIN
A0
DIN
A1
DIN
A2
DIN
A3
t RC min.
Publication Release Date: Sep. 03, 2012
- 82 -
Revision A03
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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