- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录369 > W9725G6KB-25I (Winbond Electronics)IC DDR2 SDRAM 256MBIT 84WBGA Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | W9725G6KB-25I |
| 厂商： | Winbond Electronics |
| 文件页数： | 24/87页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DDR2 SDRAM 256MBIT 84WBGA |
| 标准包装： | 209 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | DDR2 SDRAM |
| 存储容量： | 256M（16Mx16） |
| 速度： | 2.5ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 1.7 V ~ 1.9 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 95°C |
| 封装/外壳： | 84-TFBGA |
| 供应商设备封装： | 84-WBGA（8x12.5） |
| 包装： | * |
| 其它名称： | Q7118748 |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页当前第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页第61页第62页第63页第64页第65页第66页第67页第68页第69页第70页第71页第72页第73页第74页第75页第76页第77页第78页第79页第80页第81页第82页第83页第84页第85页第86页第87页
W9725G6KB
-1
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
CLK /CLK
CMD
Active
A-Bank
Read
A-Bank
Write
A-Bank
WL=RL-1=4
AL=2
CL=3
DQS/DQS
≥ t RCD
RL=AL+CL=5
DQ
Dout0 Dout1
Dout2 Dout3
Din0
Din1
Din2
Din3
[AL = 2 and CL = 3, RL = (AL + CL) = 5, WL = (RL - 1) = 4, BL = 4]
Figure 14 – Example 1: Read followed by a write to the same bank,
where AL = 2 and CL = 3, RL = (AL + CL) = 5, WL = (RL - 1) = 4, BL = 4
-1
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
CLK/CLK
AL=0
CMD
Active
A-Bank
Read
A-Bank
Write
A-Bank
WL=RL-1=2
CL=3
DQS/DQS
≥ t RCD
RL=AL+CL=3
DQ
Dout0
Dout1 Dout2 Dout3
Din0
Din1
Din2
Din3
AL = 0 and CL = 3, RL = (AL + CL) = 3, WL = (RL - 1) = 2, BL = 4]
Figure 15 – Example 2: Read followed by a write to the same bank,
where AL = 0 and CL = 3, RL = (AL + CL) = 3, WL = (RL - 1) = 2, BL = 4
8.4.2
Burst mode operation
Burst mode operation is used to provide a constant flow of data to memory locations (write cycle), or
from memory locations (read cycle). The parameters that define how the burst mode will operate are
burst sequence and burst length. The DDR2 SDRAM supports 4 bit and 8 bit burst modes only. For 8
bit burst mode, full interleave address ordering is supported, however, sequential address ordering is
nibble based for ease of implementation. The burst length is programmable and defined by MR A[2:0].
The burst type, either sequential or interleaved, is programmable and defined by MR [A3]. Seamless
burst read or write operations are supported.
Publication Release Date: Sep. 03, 2012
- 24 -
Revision A03
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| W972GG6JB-3I | IC DDR2 SDRAM 2GBITS 84WBGA |
| W9751G6IB-25 | IC DDR2-800 SDRAM 512MB 84-WBGA |
| W9751G6KB-25 | IC DDR2 SDRAM 512MBIT 84WBGA |
| W9812G6JH-6I | IC SDRAM 128MBIT 54TSOPII |
| W9816G6IH-6I | IC SDRAM 16MBIT 50TSOPII |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| W9725G6KB25I TR | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:256M DDR2-800, X16, IND TEMP |
| W9725G6KB25K | 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:DLL aligns DQ and DQS transitions with clock, Data masks (DM) for write data, Write Data Mask |
| W9725G6KB-3 | 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:DLL aligns DQ and DQS transitions with clock, Data masks (DM) for write data, Write Data Mask |
| W9725G8JB | 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:8M ? 4 BANKS ? 8 BIT DDR2 SDRAM |
| W9725G8JB25 | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:DRAM Chip DDR2 SDRAM 256M-Bit 32Mx8 1.8V 60-Pin WBGA |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。