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参数资料
| 型号： | W9725G6KB-25I |
| 厂商： | Winbond Electronics |
| 文件页数： | 83/87页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DDR2 SDRAM 256MBIT 84WBGA |
| 标准包装： | 209 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | DDR2 SDRAM |
| 存储容量： | 256M（16Mx16） |
| 速度： | 2.5ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 1.7 V ~ 1.9 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 95°C |
| 封装/外壳： | 84-TFBGA |
| 供应商设备封装： | 84-WBGA（8x12.5） |
| 包装： | * |
| 其它名称： | Q7118748 |
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W9725G6KB
11.27 Burst write with Auto-precharge (WR + t RP Limit): WL=4, WR=2, BL=4,
t RP =3
T0
T3
T4
T5
T6
T7
T8
T9
T11
CLK/CLK
CMD
Post CAS
WRA Bank A
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
Bank A
Activate
A10 = 1
Completion of the Burst Write
Auto-precharge Begins
DQS,
DQS
WL = RL - 1 = 4
≥ WR
t RP min.
DQ's
DIN
A0
DIN
A1
DIN
A2
DIN
A3
≥ t RC
11.28 Self Refresh Timing
T0
T1
T2
T3
T4
T5
T6
Tm
Tn
t CK
CLK
CLK
t CH
t CL
CKE
t RP
V IL(ac)
V IH(ac)
≥ t XSNR
≥ t XSRD
ODT
V IL(ac)
t AOFD
t IS
t IH
t IS
t IH
tIS
t IH
t IS t IH
CMD
V IH(ac)
V IL(ac)
Self
Refresh
V IH(dc)
V IL(dc)
NOP
Non-Read
Command
NOP
Read
Command
Notes:
1. Device must be in the “All banks idle” state prior to entering Self Refresh mode .
2. ODT must be turned off t AOFD before entering Self Refresh mode, and can be turned on again when t XSRD timing is
satisfied.
3. t XSRD is applied for a Read or a Read with Auto-precharge command. t XSNR is applied for any command except a Read or a
Read with Auto-precharge command.
Publication Release Date: Sep. 03, 2012
- 83 -
Revision A03
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PDF描述 |
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