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参数资料
| 型号： | W9725G6KB-25I |
| 厂商： | Winbond Electronics |
| 文件页数： | 63/87页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DDR2 SDRAM 256MBIT 84WBGA |
| 标准包装： | 209 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | DDR2 SDRAM |
| 存储容量： | 256M（16Mx16） |
| 速度： | 2.5ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 1.7 V ~ 1.9 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 95°C |
| 封装/外壳： | 84-TFBGA |
| 供应商设备封装： | 84-WBGA（8x12.5） |
| 包装： | * |
| 其它名称： | Q7118748 |
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W9725G6KB
DQS
DQS
t DS
t DH
t DS
t DH
V DDQ
nominal
line
V IH(ac) min
V REF to AC
region
V IH(dc) min
tangent
line
V REF(dc)
tangent
line
V IL(dc) max
V REF to AC
region
V IL(ac) max
nominal
V SS
line
Δ TR
Δ TF
Setup Slew Rate
Rising Signal
=
tangent line[V IH(ac)min - V REF(dc) ]
Δ TR
Setup Slew Rate
Falling Signal
=
tangent line[V REF(dc) - V IL(ac)max ]
Δ TF
Figure 25 – Illustration of tangent line for tDS (differential DQS, DQS )
Publication Release Date: Sep. 03, 2012
- 63 -
Revision A03
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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