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参数资料
| 型号： | HY5MS5B6LF-H |
| 厂商： | HYNIX SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 16M X 16 DDR DRAM, 6.5 ns, PBGA60 |
| 封装： | 8 X 12 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, FBGA-80 |
| 文件页数： | 28/60页 |
| 文件大小： | 676K |
| 代理商： | HY5MS5B6LF-H |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页当前第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页
Rev 0.2 / Oct. 2004
34
11Preliminary
Mobile DDR Memory 256Mbit (16Mx16bit)
READ to WRITE
Data from READ burst must be completed or truncated before a subsequent WRITE command can be issued. If trun-
cation is necessary, the BURST TERMINATE command must be used, as shown in next fig. for the case of nominal
tDQSS.
Read to Write
/CLK
CLK
Do
n
Do
n
READ
BST
NOP
WRITE
NOP
BA, Col
n
CL =3
CL =2
Don't Care
1) DO
n = Data Out from column n; DI b = Data In to column b
2) Burst length = 4, 8 or 16 in the cases shown; if the burst length is 2, the BST command can be
ommitted
3) Shown with nominal tAC, tDQSCK and tDQSQ
Command
Address
DQS
DQ
DQS
DQ
BA, Col
b
NOP
DM
READ
BST
NOP
BA, Col
n
Command
Address
BA, Col
b
WRITE
tDQSS
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| HY5MS7B2BLFP-H | 制造商:SK Hynix Inc 功能描述: |
| HY5N50FT | 制造商:HY 制造商全称:HY ELECTRONIC CORP. 功能描述:500V / 5A N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
| HY5N50T | 制造商:HY 制造商全称:HY ELECTRONIC CORP. 功能描述:500V / 5A N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
| HY5P | 制造商:LEM 制造商全称:LEM 功能描述:Current Transducers HY 5 to 25-P/SP1 |
| HY5-P | 制造商:LEM Holdings SSA 功能描述:CURRENT TRANSFORMER, HY 5-P |
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