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参数资料
| 型号： | HY5MS5B6LF-H |
| 厂商： | HYNIX SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 16M X 16 DDR DRAM, 6.5 ns, PBGA60 |
| 封装： | 8 X 12 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, FBGA-80 |
| 文件页数： | 42/60页 |
| 文件大小： | 676K |
| 代理商： | HY5MS5B6LF-H |
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Rev 0.2 / Oct. 2004
47
11Preliminary
Mobile DDR Memory 256Mbit (16Mx16bit)
The Self Refresh command is used to retain cell data in the Mobile SDRAM. In the Self Refresh mode, the Mobile SDRAM
operates refresh cycle asynchronously.
The Self Refresh command is initiated like an Auto Refresh command except CKE is disabled(Low). The Mobile DDR
can accomplish an special Self Refresh operation by the specific modes(PASR) programmed in extended mode regis-
ters. The Mobile DDR can control the refresh rate automatically by the temperature value of Auto TCSR(Temperature
Compensated Self Refresh) to reduce self refresh current and select the memory array to be refreshed by the value of
PASR(Partial Array Self Refresh). The Mobile DDR can reduce the self refresh current(IDD6) by using these two modes.
SELF REFRESH ENTRY COMMAND
CS
A0 ~ A9
A11, A12
WE
CAS
RAS
Don't Care
/CLK
CLK
CKE
BA0, 1
High-Low
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| HY5MS7B2BLFP-H | 制造商:SK Hynix Inc 功能描述: |
| HY5N50FT | 制造商:HY 制造商全称:HY ELECTRONIC CORP. 功能描述:500V / 5A N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
| HY5N50T | 制造商:HY 制造商全称:HY ELECTRONIC CORP. 功能描述:500V / 5A N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
| HY5P | 制造商:LEM 制造商全称:LEM 功能描述:Current Transducers HY 5 to 25-P/SP1 |
| HY5-P | 制造商:LEM Holdings SSA 功能描述:CURRENT TRANSFORMER, HY 5-P |
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