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参数资料
| 型号： | HY5MS5B6LF-H |
| 厂商： | HYNIX SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 16M X 16 DDR DRAM, 6.5 ns, PBGA60 |
| 封装： | 8 X 12 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, FBGA-80 |
| 文件页数： | 36/60页 |
| 文件大小： | 676K |
| 代理商： | HY5MS5B6LF-H |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页当前第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页
Rev 0.2 / Oct. 2004
41
11Preliminary
Mobile DDR Memory 256Mbit (16Mx16bit)
Interrupting Write to Read
/CLK
CLK
WRITE
NOP
READ
NOP
BA, Col
b
Don't Care
1) DI
b = Data In to column b. DO n = Data Out from column n.
2) An interrupted burst of 4 is shown, 2 data elements are written. 3 subsequent elements of Data In are applied in the programmed order
following DI b.
3) tWTR is referenced from the positive clock edge after the last Data In pair.
4) A10 is LOW with the WRITE command (Auto Precharge is disabled)
5) The READ and WRITE commands are to the same device but not necessarily to the same bank.
Command
Address
DQS
DQ
NOP
DM
tDQSS
max
tWTR
CL=3
NOP
Di
b
BA, Col
n
Do
n
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| HY5N50T | 制造商:HY 制造商全称:HY ELECTRONIC CORP. 功能描述:500V / 5A N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
| HY5P | 制造商:LEM 制造商全称:LEM 功能描述:Current Transducers HY 5 to 25-P/SP1 |
| HY5-P | 制造商:LEM Holdings SSA 功能描述:CURRENT TRANSFORMER, HY 5-P |
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