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参数资料
| 型号： | HY5MS5B6LF-H |
| 厂商： | HYNIX SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 16M X 16 DDR DRAM, 6.5 ns, PBGA60 |
| 封装： | 8 X 12 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, FBGA-80 |
| 文件页数： | 6/60页 |
| 文件大小： | 676K |
| 代理商： | HY5MS5B6LF-H |
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Rev 0.2 / Oct. 2004
14
11Preliminary
Mobile DDR Memory 256Mbit (16Mx16bit)
CURRENT STATE BANK
n TRUTH TABLE (COMMAND TO BANK m)
Current State
Command
Action
Notes
CS
RAS CAS
WE
Description
Any
H
X
DESELECT (NOP)
Continue previous Operation
L
H
NOP
Continue previous Operation
Idle
X
ANY
Any command allowed to bank m
Row Activating,
Active, or Pre-
charging
L
H
ACTIVE
Activate Row
L
H
L
H
READ
Start READ burst
8
L
H
L
WRITE
Start WRITE burst
8
LL
H
L
PRECHARGE
Precharge
Read with Auto
Precharge dis-
abled
L
H
ACTIVE
Activate Row
L
H
L
H
READ
Start READ burst
8
L
H
L
WRITE
Start WRITE burst
8,10
LL
H
L
PRECHARGE
Precharge
Write with Auto
precharge dis-
abled
L
H
ACTIVE
Activate Row
L
H
L
H
READ
Start READ burst
8,9
L
H
L
WRITE
Start WRITE burst
8
LL
H
L
PRECHARGE
Precharge
Read with Auto
Precharge
L
H
ACTIVE
Activate Row
L
H
L
H
READ
Start READ burst
5,8
L
H
L
WRITE
Start WRITE burst
5,8,10
LL
H
L
PRECHARGE
Precharge
Write with Auto
precharge
L
H
ACTIVE
Activate Row
L
H
L
H
READ
Start READ burst
5,8
L
H
L
WRITE
Start WRITE burst
5,8
LL
H
L
PRECHARGE
Precharge
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| HY5PS1G831ALFP-C4 | 128M X 8 DDR DRAM, PBGA68 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| HY5-P | 制造商:LEM Holdings SSA 功能描述:CURRENT TRANSFORMER, HY 5-P |
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