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参数资料
| 型号： | HY5MS5B6LF-H |
| 厂商： | HYNIX SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 16M X 16 DDR DRAM, 6.5 ns, PBGA60 |
| 封装： | 8 X 12 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, FBGA-80 |
| 文件页数： | 60/60页 |
| 文件大小： | 676K |
| 代理商： | HY5MS5B6LF-H |
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Rev 0.2 / Oct. 2004
9
11Preliminary
Mobile DDR Memory 256Mbit (16Mx16bit)
BASIC FUNCTIONAL DESCRIPTION (Continued)
Extended Mode Register Set(EMRS) for Mobile DDR SDRAM
BA1
BA0
A12
A11
A10
A9
A8
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
1000
000
0
DS
0
PASR
DS (Driver Strength)
A6
A5
Driver Strength
00
Full
0
1
1/2 Strength
1
0
1/4 Strength
1
1/8 Strength
PASR (Partial Array Self Refresh)
A2
A1
A0
Self Refresh Coverage
00
0
All Banks
00
1
Half of Total Bank (BA1=0)
0
1
0
Quarter of Total Bank (BA1=BA0=0)
01
1
Reserved
10
0
Reserved
10
1
One Eighth of Total Bank
(BA1 = BA0 = Row Address MSB=0)
11
0
One Sixteenth of Total Bank
(BA1 = BA0 = Row Address 2 MSBs=0)
11
1
Reserved
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| HY5N50FT | 制造商:HY 制造商全称:HY ELECTRONIC CORP. 功能描述:500V / 5A N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
| HY5N50T | 制造商:HY 制造商全称:HY ELECTRONIC CORP. 功能描述:500V / 5A N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
| HY5P | 制造商:LEM 制造商全称:LEM 功能描述:Current Transducers HY 5 to 25-P/SP1 |
| HY5-P | 制造商:LEM Holdings SSA 功能描述:CURRENT TRANSFORMER, HY 5-P |
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