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参数资料
| 型号： | HY5MS5B6LF-H |
| 厂商： | HYNIX SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 16M X 16 DDR DRAM, 6.5 ns, PBGA60 |
| 封装： | 8 X 12 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, FBGA-80 |
| 文件页数： | 59/60页 |
| 文件大小： | 676K |
| 代理商： | HY5MS5B6LF-H |
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Rev 0.2 / Oct. 2004
8
11Preliminary
Mobile DDR Memory 256Mbit (16Mx16bit)
BASIC FUNCTIONAL DESCRIPTION
Mode Register Set(MRS) for Mobile DDR SDRAM
BA1
BA0
A12
A11
A10
A9
A8
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
0
CAS Latency
BT
Burst Length
Burst Type
A3
Burst Type
0Sequential
1Interleave
Burst Length
A2
A1
A0
Burst Length
A3 = 0
A3=1
0
Reserved
00
1
2
01
0
4
01
1
8
1
0
Reserved
1
0
1
Reserved
1
0
Reserved
1
Reserved
CAS Latency
A6
A5
A4
CAS Latency
0
Reserved
0
1
Reserved
0
1
0
2
0
1
3
1
0
Reserved
1
0
1
Reserved
1
0
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1
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| HY5RS573225AFP-16L | 8M X 32 DDR DRAM, 0.28 ns, PBGA136 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| HY5MS7B2BLFP-H | 制造商:SK Hynix Inc 功能描述: |
| HY5N50FT | 制造商:HY 制造商全称:HY ELECTRONIC CORP. 功能描述:500V / 5A N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
| HY5N50T | 制造商:HY 制造商全称:HY ELECTRONIC CORP. 功能描述:500V / 5A N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
| HY5P | 制造商:LEM 制造商全称:LEM 功能描述:Current Transducers HY 5 to 25-P/SP1 |
| HY5-P | 制造商:LEM Holdings SSA 功能描述:CURRENT TRANSFORMER, HY 5-P |
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