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参数资料
| 型号： | HY5MS5B6LF-H |
| 厂商： | HYNIX SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 16M X 16 DDR DRAM, 6.5 ns, PBGA60 |
| 封装： | 8 X 12 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, FBGA-80 |
| 文件页数： | 44/60页 |
| 文件大小： | 676K |
| 代理商： | HY5MS5B6LF-H |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页当前第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页
Rev 0.2 / Oct. 2004
49
11Preliminary
Mobile DDR Memory 256Mbit (16Mx16bit)
MODE REGISTER SET
The mode registers are loaded via the address bits.
BA0 and BA1 are used to select between the Mode Register and the Extended Mode Register. See the Mode Register
description in the register definition section. The MODE REGISTER SET command can only be issued when all banks
are idle and no bursts are in progress, and a subsequent executable command cannot be issued until tMRD is met.
MODE REGISTER SET COMMAND
Note:
BA0=BA1=Low loads the Mode Register, whereas BA0=Low and BA1=High loads the Extended Mode Register.
Code = Mode Register / Extended Mode Register selection
(BA0, BA1) and op-code (A0 - An)
tMRD DEFINITION
MRS
NOP
Valid
Code
Valid
tMRD
/CLK
CLK
Command
Address
Don't Care
CS
A0 ~ A9
A11, A12
WE
CAS
RAS
Don't Care
/CLK
CLK
CKE
BA0, 1
Code
High-Z
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| HY5N50FT | 制造商:HY 制造商全称:HY ELECTRONIC CORP. 功能描述:500V / 5A N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
| HY5N50T | 制造商:HY 制造商全称:HY ELECTRONIC CORP. 功能描述:500V / 5A N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
| HY5P | 制造商:LEM 制造商全称:LEM 功能描述:Current Transducers HY 5 to 25-P/SP1 |
| HY5-P | 制造商:LEM Holdings SSA 功能描述:CURRENT TRANSFORMER, HY 5-P |
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