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参数资料
| 型号： | PF38F3352LLZDQ0 |
| 厂商： | INTEL CORP |
| 元件分类： | 存储器 |
| 英文描述： | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA88 |
| 封装： | 11 X 13 MM, SCSP-88 |
| 文件页数： | 21/54页 |
| 文件大小： | 966K |
| 代理商： | PF38F3352LLZDQ0 |
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768-Mbit LVQ Family with Asynchronous Static RAM
28
Datasheet
W8
tWR
Write Recovery
0
–
ns
4
W9
tBW
R-UB#, R-LB# Setup to R-WE# (S-CS1#)
Going High
60
–
ns
NOTES:
1. A write occurs during the S-CS1# and R-WE# asserted overlap (tWP). The write begins with the latest
transition of S-CS1# and R-WE# going low (R-UB# and/or R-LB# already asserted). The write ends at the
earliest transition of S-CS1# or R-WE# going high.
2. tCW is measured from S-CS1# going low to the end of a write.
3. tAS is measured from address valid to the beginning of a write.
4. tWR is measured from the end of a write to the address change; tWR applied in case a write ends as S-
CS1# or R-WE# going high.
Table 9.
SRAM AC Write Specifications (Sheet 2 of 2)
Figure 10. SRAM Write Waveform
High Z
Data In
Address Stable
Device
Address Selection
Standby
ADDRESSES
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
S-CS1#
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
V
IH
R-OE#
R-WE#
DATA
R- UB#, R- LB#
High Z
V
IH
V
IL
W1
W8
S-CS2
V
IH
V
IL
V
IH
W9
W6
W5
W2
W3
W4
W7
Table 10. SRAM Data Retention Timing
Parameter
Description
MIN
MAX
Unit
tSDR
Data Retention Set-up Time
0
–
ns
tRDR
Data Retention Recovery Time
70
–
ns
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PF38F40L0YUQ0 | 16M X 16 FLASH 1.8V PROM, PBGA88 |
| PF50WIW2K-3.5VF-W6 | SINGLE COLOR LED, INCAND WHITE |
| PD50WO3K-28V-T | SINGLE COLOR LED, SUPER ORANGE |
| PD50WR3K-24V-W6 | SINGLE COLOR LED, ULTRA RED |
| PF50WAG6K-240VAC-W6 | SINGLE COLOR LED, AQUA GREEN |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| PF38F4040L0YWA | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:256LCR/32PS SCSP 1.8 HF NOKIA - Tape and Reel |
| PF38F4040L0YWAGB | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:WIRELESS - Tape and Reel |
| PF38F4050L0YWQEA | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:WIRELESS - Trays |
| PF38F4050L0ZTQ0 | 制造商:Intel 功能描述:MM#869453 FLASH |
| PF38F4050M0Y0CEA | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:WIRELESS - Trays |
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