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参数资料
| 型号： | RC28F00BM29EWHA |
| 厂商： | Micron Technology Inc |
| 文件页数： | 10/75页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC FLASH 2GBIT 100NS 64FBGA |
| 标准包装： | 184 |
| 系列： | Axcell™ |
| 格式 - 存储器： | 闪存 |
| 存储器类型： | 闪存 - 或非 |
| 存储容量： | 2G（256M x 8，128M x 16） |
| 速度： | 100ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 2.7 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 64-LBGA |
| 供应商设备封装： | 64-FBGA（11x13） |
| 包装： | 托盘 |
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256Mb, 512Mb, 1Gb, 2Gb: 3V Embedded Parallel NOR Flash
Signal Assignments
Signal Assignments
Figure 3: 56-Pin TSOP (Top View)
A23
A22
A15
A14
A13
A12
A11
A10
A9
A8
A19
A20
WE#
RST#
A21
V PP /WP#
RY/BY#
A18
A17
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
RFU
RFU
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
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21
22
23
24
25
26
27
28
Notes:
1.
2.
3.
4.
A-1 is the least significant address bit in x8 mode.
A23 is valid for 256Mb and above; otherwise, it is RFU.
A24 is valid for 512Mb and above; otherwise, it is RFU.
A25 is valid for 1Gb and above; otherwise, it is RFU.
56
55
54
53
52
51
50
49
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43
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39
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32
31
30
29
A24
A25
A16
BYTE#
V SS
DQ15/A-1
DQ7
DQ14
DQ6
DQ13
DQ5
DQ12
DQ4
V CC
DQ11
DQ3
DQ10
DQ2
DQ9
DQ1
DQ8
DQ0
OE#
V SS
CE#
A0
RFU
V CCQ
PDF: 09005aef849b4b09
m29ew_256mb_2gb.pdf - Rev. B 8/12 EN
10
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| RC28F128J3A_13 | 制造商:INTEL 制造商全称:Intel Corporation 功能描述:Intel StrataFlash?? Memory |
| RC28F128J3A-110 | 制造商:INTEL 制造商全称:Intel Corporation 功能描述:Intel StrataFlash Memory (J3) |
| RC28F128J3A-115 | 制造商:INTEL 制造商全称:Intel Corporation 功能描述:Intel StrataFlash Memory (J3) |
| RC28F128J3A-120 | 制造商:INTEL 制造商全称:Intel Corporation 功能描述:Intel StrataFlash Memory (J3) |
| RC28F128J3A-125 | 制造商:INTEL 制造商全称:Intel Corporation 功能描述:Intel StrataFlash Memory (J3) |
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