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参数资料
| 型号： | RC28F00BM29EWHA |
| 厂商： | Micron Technology Inc |
| 文件页数： | 57/75页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC FLASH 2GBIT 100NS 64FBGA |
| 标准包装： | 184 |
| 系列： | Axcell™ |
| 格式 - 存储器： | 闪存 |
| 存储器类型： | 闪存 - 或非 |
| 存储容量： | 2G（256M x 8，128M x 16） |
| 速度： | 100ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 2.7 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 64-LBGA |
| 供应商设备封装： | 64-FBGA（11x13） |
| 包装： | 托盘 |
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256Mb, 512Mb, 1Gb, 2Gb: 3V Embedded Parallel NOR Flash
DC Characteristics
DC Characteristics
Table 27: DC Current Characteristics
Parameter
Input leakage current
Output leakage current
Symbol
I LI
I LO
Conditions
0V ≤ V IN ≤ V CC
0V ≤ V OUT ≤ V CC
Min
–
–
Typ
–
–
Max
±1
±1
Unit
μA
μA
Notes
1
VCC read
Random read
I CC1
CE# = V IL , OE# = V IH ,
–
26
31
mA
current
f = 5 MHz
Page read
CE# = V IL , OE# = V IH ,
–
12
16
mA
f = 13 MHz
VCC standby
current
256Mb
512Mb
I CC2
CE# = V CCQ ±0.2V,
RST# = V CCQ ±0.2V
–
–
65
70
210
225
μA
μA
1Gb
2Gb
–
–
75
150
240
480
μA
μA
VCC program/erase/blank
I CC3
Program/
V PP /WP# = V IL
–
35
50
mA
2
check current
erase
or V IH
controller
active
V PP /WP# =
V PPH
–
35
50
mA
V PP current
Read
I PP1
V PP /WP# ≤ V CC
–
0.2
5
μA
Standby
–
2
15
μA
Reset
PROGRAM operation
ongoing
ERASE operation
ongoing
I PP2
I PP3
I PP4
RST# = V SS ±0.2V
V PP /WP# = 12V ±5%
V PP /WP# = V CC
V PP /WP# = 12V ±5%
V PP /WP# = V CC
–
–
–
–
–
0.2
0.05
0.05
0.05
0.05
5
0.10
0.10
0.10
0.10
μA
mA
mA
mA
mA
Notes:
1. The maximum input leakage current is ±5μA on the V PP /WP# pin.
2. Sampled only; not 100% tested.
PDF: 09005aef849b4b09
m29ew_256mb_2gb.pdf - Rev. B 8/12 EN
57
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PDF描述 |
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参数描述 |
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