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参数资料
| 型号： | RC28F00BM29EWHA |
| 厂商： | Micron Technology Inc |
| 文件页数： | 50/75页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC FLASH 2GBIT 100NS 64FBGA |
| 标准包装： | 184 |
| 系列： | Axcell™ |
| 格式 - 存储器： | 闪存 |
| 存储器类型： | 闪存 - 或非 |
| 存储容量： | 2G（256M x 8，128M x 16） |
| 速度： | 100ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 2.7 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 64-LBGA |
| 供应商设备封装： | 64-FBGA（11x13） |
| 包装： | 托盘 |
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256Mb, 512Mb, 1Gb, 2Gb: 3V Embedded Parallel NOR Flash
Common Flash Interface
Table 19: CFI Query System Interface Information
Note 1 applies to the entire table
Address
x16
1Bh
x8
36h
Data
0027h
Description
V CC logic supply minimum program/erase voltage
Value
2.7V
Bits[7:4] BCD value in volts
Bits[3:0] BCD value in 100mV
1Ch
38h
0036h
V CC logic supply maximum program/erase voltage
3.6V
Bits[7:4] BCD value in volts
Bits[3:0] BCD value in 100mV
1Dh
3Ah
00B5h
V PPH (programming) supply minimum program/erase voltage
11.5V
Bits[7:4] hex value in volts
Bits[3:0] BCD value in 100mV
1Eh
3Ch
00C5h
V PPH (programming) supply maximum program/erase voltage
12.5V
Bits[7:4] hex value in volts
Bits[3:0] BCD value in 10mV
1Fh
3Eh
0009h
Typical timeout for single byte/word program = 2 n μ s
512μs
20h
21h
40h
42h
000Ah
000Ah
Typical timeout for maximum size buffer program =
Typical timeout per individual block erase = 2 n ms
2 n μ s
1024μs
1s
22h
44h
0012h
Typical timeout for full chip erase =
2 n ms
256Mb: 262s
0013h
0014h
0015h
512Mb: 524s
1Gb: 1048s
2Gb: 2097s
23h
46h
0001h
Maximum timeout for byte/word program =
2 n
times typical
1024μs
24h
48h
0002h
Maximum timeout for buffer program =
2 n
times typical
4096μs
25h
4Ah
0002h
Maximum timeout per individual block erase =
2 n
times typical
4s
26h
4Ch
0002h
Maximum timeout for chip erase = 2 n times typical
256Mb: 1048s
0002h
0002h
0002h
512Mb: 2096s
1Gb: 4194s
2Gb: 8388s
Note:
1. The values in this table are valid for both packages.
Table 20: Device Geometry Definition
Address
x16
27h
x8
4Eh
Data
0019h
Description
Device size = 2 n in number of bytes
Value
32MB
001Ah
001Bh
001Ch
64MB
128MB
256MB
28h
29h
50h
52h
0002h
0000h
Flash device interface code description
x8, x16
asynchronous
PDF: 09005aef849b4b09
m29ew_256mb_2gb.pdf - Rev. B 8/12 EN
50
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| RC28F128J3A_13 | 制造商:INTEL 制造商全称:Intel Corporation 功能描述:Intel StrataFlash?? Memory |
| RC28F128J3A-110 | 制造商:INTEL 制造商全称:Intel Corporation 功能描述:Intel StrataFlash Memory (J3) |
| RC28F128J3A-115 | 制造商:INTEL 制造商全称:Intel Corporation 功能描述:Intel StrataFlash Memory (J3) |
| RC28F128J3A-120 | 制造商:INTEL 制造商全称:Intel Corporation 功能描述:Intel StrataFlash Memory (J3) |
| RC28F128J3A-125 | 制造商:INTEL 制造商全称:Intel Corporation 功能描述:Intel StrataFlash Memory (J3) |
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