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参数资料
| 型号： | RC28F00BM29EWHA |
| 厂商： | Micron Technology Inc |
| 文件页数： | 58/75页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC FLASH 2GBIT 100NS 64FBGA |
| 标准包装： | 184 |
| 系列： | Axcell™ |
| 格式 - 存储器： | 闪存 |
| 存储器类型： | 闪存 - 或非 |
| 存储容量： | 2G（256M x 8，128M x 16） |
| 速度： | 100ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 2.7 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 64-LBGA |
| 供应商设备封装： | 64-FBGA（11x13） |
| 包装： | 托盘 |
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256Mb, 512Mb, 1Gb, 2Gb: 3V Embedded Parallel NOR Flash
DC Characteristics
Table 28: DC Voltage Characteristics
Parameter
Input LOW voltage
Input HIGH voltage
Output LOW voltage
Symbol
V IL
V IH
V OL
Conditions
V CC ≥ 2.7V
V CC ≥ 2.7V
I OL = 100μA,
Min
–0.5
0.7V CCQ
–
Typ
–
–
–
Max
0.8
V CCQ + 0.4
0.15V CCQ
Unit
V
V
V
Notes
V CC = V CC,min ,
V CCQ = V CCQ,min
Output HIGH voltage
V OH
I OH = 100μA,
0.85V CCQ
–
–
V
V CC = V CC,min ,
V CCQ = V CCQ,min
Voltage for V PP /WP# program
V PPH
–
11.5
–
12.5
V
acceleration
Program/erase lockout supply
V LKO
–
2.3
–
–
V
1
voltage
Note:
1. Sampled only; not 100% tested.
PDF: 09005aef849b4b09
m29ew_256mb_2gb.pdf - Rev. B 8/12 EN
58
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| RC28F128J3A_13 | 制造商:INTEL 制造商全称:Intel Corporation 功能描述:Intel StrataFlash?? Memory |
| RC28F128J3A-110 | 制造商:INTEL 制造商全称:Intel Corporation 功能描述:Intel StrataFlash Memory (J3) |
| RC28F128J3A-115 | 制造商:INTEL 制造商全称:Intel Corporation 功能描述:Intel StrataFlash Memory (J3) |
| RC28F128J3A-120 | 制造商:INTEL 制造商全称:Intel Corporation 功能描述:Intel StrataFlash Memory (J3) |
| RC28F128J3A-125 | 制造商:INTEL 制造商全称:Intel Corporation 功能描述:Intel StrataFlash Memory (J3) |
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