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参数资料
| 型号： | RC28F00BM29EWHA |
| 厂商： | Micron Technology Inc |
| 文件页数： | 11/75页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC FLASH 2GBIT 100NS 64FBGA |
| 标准包装： | 184 |
| 系列： | Axcell™ |
| 格式 - 存储器： | 闪存 |
| 存储器类型： | 闪存 - 或非 |
| 存储容量： | 2G（256M x 8，128M x 16） |
| 速度： | 100ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 2.7 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 64-LBGA |
| 供应商设备封装： | 64-FBGA（11x13） |
| 包装： | 托盘 |
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256Mb, 512Mb, 1Gb, 2Gb: 3V Embedded Parallel NOR Flash
Signal Assignments
Figure 4: 64-Ball Fortified BGA
1
2
3
4
5
6
7
8
8
7
6
5
4
3
2
1
A
A
RFU
A3
A7 RY/BY# WE#
A9
A13
RFU
RFU
A13
A9
WE# RY/BY# A7
A3
RFU
B
B
A26
A4
A17 V PP /WP# RST#
A8
A12
A22
A22
A12
A8
RST# V PP /WP# A17
A4
A26
C
C
RFU
A2
A6
A18
A21
A10
A14
A23
A23
A14
A10
A21
A18
A6
A2
RFU
D
D
RFU
A1
A5
A20
A19
A11
A15 V CCQ
V CCQ A15
A11
A19
A20
A5
A1
RFU
E
E
RFU
A0
D0
D2
D5
D7
A16
V SS
V SS
A16
D7
D5
D2
D0
A0
RFU
F
F
V CCQ CE#
D8
D10
D12
D14 BYTE# A24
A24 BYTE# D14
D12
D10
D8
CE# V CCQ
G
G
RFU
OE#
D9
D11
V CC
D13 D15/A-1 A25
A25 D15/A-1 D13
V CC
D11
D9
OE#
RFU
H
H
RFU
V SS
D1
D3
D4
D6
V SS
RFU
RFU
V SS
D6
D4
D3
D1
V SS
RFU
Fortified BGA
Top view – ball side down
Fortified BGA
Bottom view – ball side up
Notes:
1.
2.
3.
4.
5.
A-1 is the least significant address bit in x8 mode.
A23 is valid for 256Mb and above; otherwise, it is RFU.
A24 is valid for 512Mb and above; otherwise, it is RFU.
A25 is valid for 1Gb and above; otherwise, it is RFU.
A26 is valid for 2Gb only; otherwise it is RFU.
PDF: 09005aef849b4b09
m29ew_256mb_2gb.pdf - Rev. B 8/12 EN
11
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| RC28F128J3A_13 | 制造商:INTEL 制造商全称:Intel Corporation 功能描述:Intel StrataFlash?? Memory |
| RC28F128J3A-110 | 制造商:INTEL 制造商全称:Intel Corporation 功能描述:Intel StrataFlash Memory (J3) |
| RC28F128J3A-115 | 制造商:INTEL 制造商全称:Intel Corporation 功能描述:Intel StrataFlash Memory (J3) |
| RC28F128J3A-120 | 制造商:INTEL 制造商全称:Intel Corporation 功能描述:Intel StrataFlash Memory (J3) |
| RC28F128J3A-125 | 制造商:INTEL 制造商全称:Intel Corporation 功能描述:Intel StrataFlash Memory (J3) |
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