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参数资料
| 型号： | RC28F00BM29EWHA |
| 厂商： | Micron Technology Inc |
| 文件页数： | 48/75页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC FLASH 2GBIT 100NS 64FBGA |
| 标准包装： | 184 |
| 系列： | Axcell™ |
| 格式 - 存储器： | 闪存 |
| 存储器类型： | 闪存 - 或非 |
| 存储容量： | 2G（256M x 8，128M x 16） |
| 速度： | 100ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 2.7 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 64-LBGA |
| 供应商设备封装： | 64-FBGA（11x13） |
| 包装： | 托盘 |
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256Mb, 512Mb, 1Gb, 2Gb: 3V Embedded Parallel NOR Flash
Device Protection
Notes:
1. Volatile protection bits are programmed and cleared individually. Nonvolatile protection
bits are programmed individually and cleared collectively.
2. Once programmed to 0, the nonvolatile protection bit lock bit can be reset to 1 only by
taking the device through a power-up or hardware reset.
PDF: 09005aef849b4b09
m29ew_256mb_2gb.pdf - Rev. B 8/12 EN
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| RC28F128J3A_13 | 制造商:INTEL 制造商全称:Intel Corporation 功能描述:Intel StrataFlash?? Memory |
| RC28F128J3A-110 | 制造商:INTEL 制造商全称:Intel Corporation 功能描述:Intel StrataFlash Memory (J3) |
| RC28F128J3A-115 | 制造商:INTEL 制造商全称:Intel Corporation 功能描述:Intel StrataFlash Memory (J3) |
| RC28F128J3A-120 | 制造商:INTEL 制造商全称:Intel Corporation 功能描述:Intel StrataFlash Memory (J3) |
| RC28F128J3A-125 | 制造商:INTEL 制造商全称:Intel Corporation 功能描述:Intel StrataFlash Memory (J3) |
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