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参数资料
| 型号： | RC28F00BM29EWHA |
| 厂商： | Micron Technology Inc |
| 文件页数： | 63/75页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC FLASH 2GBIT 100NS 64FBGA |
| 标准包装： | 184 |
| 系列： | Axcell™ |
| 格式 - 存储器： | 闪存 |
| 存储器类型： | 闪存 - 或非 |
| 存储容量： | 2G（256M x 8，128M x 16） |
| 速度： | 100ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 2.7 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 64-LBGA |
| 供应商设备封装： | 64-FBGA（11x13） |
| 包装： | 托盘 |
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256Mb, 512Mb, 1Gb, 2Gb: 3V Embedded Parallel NOR Flash
Write AC Characteristics
Figure 22: WE#-Controlled Program AC Timing (8-Bit Mode)
t WC
3rd Cycle
4th Cycle
Data Polling
t WC
READ Cycle
A[MAX:0]/A-1
t CS
AAAh
t AS
t C H
PA
t AH
PA
t E
CE#
OE#
WE#
t GHWL
t WP
t WPH
t OE
t DS
t WHWH1
t DF
t OH
DQ[7:0]
AOh
PD
DQ7#
D OUT
D OUT
t DH
Notes:
1. Only the third and fourth cycles of the PROGRAM command are represented. The PRO-
GRAM command is followed by checking of the status register data polling bit and by a
READ operation that outputs the data (D OUT ) programmed by the previous PROGRAM
command.
2. PA is the address of the memory location to be programmed. PD is the data to be pro-
grammed.
3. DQ7 is the complement of the data bit being programmed to DQ7 (See Data Polling Bit
[DQ7]).
4. See the following tables for timing details: Read AC Characteristics, WE#-Controlled
Write AC Characteristics, and CE#-Controlled Write AC Characteristics.
PDF: 09005aef849b4b09
m29ew_256mb_2gb.pdf - Rev. B 8/12 EN
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| RC28F128J3A_13 | 制造商:INTEL 制造商全称:Intel Corporation 功能描述:Intel StrataFlash?? Memory |
| RC28F128J3A-110 | 制造商:INTEL 制造商全称:Intel Corporation 功能描述:Intel StrataFlash Memory (J3) |
| RC28F128J3A-115 | 制造商:INTEL 制造商全称:Intel Corporation 功能描述:Intel StrataFlash Memory (J3) |
| RC28F128J3A-120 | 制造商:INTEL 制造商全称:Intel Corporation 功能描述:Intel StrataFlash Memory (J3) |
| RC28F128J3A-125 | 制造商:INTEL 制造商全称:Intel Corporation 功能描述:Intel StrataFlash Memory (J3) |
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