- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录354 > RC28F00BM29EWHA (Micron Technology Inc)IC FLASH 2GBIT 100NS 64FBGA Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | RC28F00BM29EWHA |
| 厂商： | Micron Technology Inc |
| 文件页数： | 51/75页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC FLASH 2GBIT 100NS 64FBGA |
| 标准包装： | 184 |
| 系列： | Axcell™ |
| 格式 - 存储器： | 闪存 |
| 存储器类型： | 闪存 - 或非 |
| 存储容量： | 2G（256M x 8，128M x 16） |
| 速度： | 100ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 2.7 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 64-LBGA |
| 供应商设备封装： | 64-FBGA（11x13） |
| 包装： | 托盘 |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页当前第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页第61页第62页第63页第64页第65页第66页第67页第68页第69页第70页第71页第72页第73页第74页第75页
256Mb, 512Mb, 1Gb, 2Gb: 3V Embedded Parallel NOR Flash
Common Flash Interface
Table 20: Device Geometry Definition (Continued)
Address
x16
2Ah
2Bh
2Ch
x8
54h
56h
58h
Data
000Ah
0000h
0001h
Description
Maximum number of bytes in multi-byte program or page =
2 n
Number of erase block regions. It specifies the number of
Value
1024 1
1
regions containing contiguous erase blocks of the same size.
2Dh
2Eh
5Ah
5Ch
00FFh
0000h
00FFh
Erase block region 1 information
Number of identical-size erase blocks = 00FFh + 1 / 01FFh +
1 / 03FFh + 1 / 07FFh + 1
256
512
0001h
00FFh
0003h
00FFh
0007h
1024
2048
2Fh
30h
31h
32h
33h
34h
35h
36h
37h
38h
39h
3Ah
3Bh
3Ch
5Eh
60h
62h
64h
66h
68h
6Ah
6Ch
6Eh
70h
72h
74h
76h
78h
0000h
0002h
0000h
0000h
0000h
0000h
0000h
0000h
0000h
0000h
0000h
0000h
0000h
0000h
Erase block region 1 information
Block size in region 1 = 0200h × 256 bytes
Erase block region 2 information
Erase block region 3 information
Erase block region 4 information
128KB
0
0
0
Note:
1. For x16/x8 mode, the maximum buffer size is 1024/256 bytes, respectively.
Table 21: Primary Algorithm-Specific Extended Query Table
Note 1 applies to the entire table
Address
x16
40h
41h
42h
43h
44h
45h
x8
80h
82h
84h
86h
88h
8Ah
Data
0050h
0052h
0049h
0031h
0033h
0018h
Description
Primary algorithm extended query table unique ASCII string “PRI”
Major version number, ASCII
Minor version number, ASCII
Address sensitive unlock (bits[1:0]):
Value
"P"
"R"
"I"
"1"
"3"
Required
00 = Required
01 = Not required
Silicon revision number (bits[7:2])
PDF: 09005aef849b4b09
m29ew_256mb_2gb.pdf - Rev. B 8/12 EN
51
Micron Technology, Inc. reserves the right to change products or specifications without notice.
? 2012 Micron Technology, Inc. All rights reserved.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RDK-242 | KIT REF DESIGN VG TOPSWITCH-JX |
| RJCSE538001 | CONN MOD JACK 8P8C SMT R/A |
| RJE031882420 | CONN MOD JACK 8P/8C S-FLANGES |
| RJE051660310 | CONN MOD JACK 6P/6C UNSHIELDED |
| RJE051880110 | CONN MOD JACK 8/8 R/A UNSHIELDED |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| RC28F128J3A_13 | 制造商:INTEL 制造商全称:Intel Corporation 功能描述:Intel StrataFlash?? Memory |
| RC28F128J3A-110 | 制造商:INTEL 制造商全称:Intel Corporation 功能描述:Intel StrataFlash Memory (J3) |
| RC28F128J3A-115 | 制造商:INTEL 制造商全称:Intel Corporation 功能描述:Intel StrataFlash Memory (J3) |
| RC28F128J3A-120 | 制造商:INTEL 制造商全称:Intel Corporation 功能描述:Intel StrataFlash Memory (J3) |
| RC28F128J3A-125 | 制造商:INTEL 制造商全称:Intel Corporation 功能描述:Intel StrataFlash Memory (J3) |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。