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参数资料
| 型号： | S71PL129JC0BFW9Z2 |
| 厂商： | SPANSION LLC |
| 元件分类： | 存储器 |
| 英文描述： | Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory |
| 中文描述： | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA64 |
| 封装： | 8 X 11.60 MM, 1.20 MM HEIGHT, LEAD FREE, FBGA-64 |
| 文件页数： | 136/153页 |
| 文件大小： | 3651K |
| 代理商： | S71PL129JC0BFW9Z2 |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页第61页第62页第63页第64页第65页第66页第67页第68页第69页第70页第71页第72页第73页第74页第75页第76页第77页第78页第79页第80页第81页第82页第83页第84页第85页第86页第87页第88页第89页第90页第91页第92页第93页第94页第95页第96页第97页第98页第99页第100页第101页第102页第103页第104页第105页第106页第107页第108页第109页第110页第111页第112页第113页第114页第115页第116页第117页第118页第119页第120页第121页第122页第123页第124页第125页第126页第127页第128页第129页第130页第131页第132页第133页第134页第135页当前第136页第137页第138页第139页第140页第141页第142页第143页第144页第145页第146页第147页第148页第149页第150页第151页第152页第153页
October 28, 2005 S71PL129Jxx_00_A8
S71PL129JC0/S71PL129JB0/S71PL129JA0
81
Advance
Informatio n
Functional Description
Legend:L = Low-level Input (VIL), H = High-level Input (VIH), X = VIL or VIH, High-Z = High Impedance.
Absolute Maximum Ratings
Note: ESD Immunity: Spansion Flash memory Multi-Chip Products (MCPs) may contain component devices that are
developed by Spansion and component devices that are developed by a third party (third-party components). Spansion
components are tested and guaranteed to the ESD immunity levels listed in the corresponding Spansion Flash memory
Qualification Database. Third-party components are neither tested nor guaranteed by Spansion for ESD immunity. How-
ever, ESD test results for third-party components may be available from the component manufacturer. Component man-
ufacturer contact information is listed in the Spansion MCP Qualification Report, when available. The Spansion Flash
memory Qualification Database and Spansion MCP Qualification Report are available from Spansion sales offices.
DC Recommended Operating Conditions (Ta = -40°C to 85°C)
Note: VIH (Max) VDD = 1.0 V with 10 ns pulse width. VIL (Min) -1.0 V with 10 ns pulse width.
Mode
CE1#
CE2
OE#
WE#
LB#
UB#
Address
I/O1-8
I/O9-16
Power
Read (Word)
L
H
L
H
L
X
DOUT
IDDO
Read (Lower Byte)
L
H
L
H
L
H
X
DOUT
High-Z
IDDO
Read (Upper Byte)
L
H
L
H
L
X
High-Z
DOUT
IDDO
Write (Word)
L
H
X
L
X
DIN
IDDO
Write (Lower Byte)
L
H
X
L
H
X
DIN
Invalid
IDDO
Write (Upper Byte)
L
H
X
L
H
L
X
Invalid
DIN
IDDO
Outputs Disabled
L
H
X
High-Z
IDDO
Standby
H
X
High-Z
IDDO
Deep Power-down Standby
H
L
X
High-Z
IDDSD
Symbol
Rating
Value
Unit
VDD
Power Supply Voltage
-1.0 to 3.6
V
VIN
Input Voltage
-1.0 to 3.6
V
VOUT
Output Voltage
-1.0 to 3.6
V
Topr
Operating Temperature
-40 to 85
°C
Tstrg
Storage Temperature
-55 to 150
°C
PD
Power Dissipation
0.6
W
IOUT
Short Circuit Output Current
50
mA
Symbol
Parameter
Min
Typ
Max
Unit
VDD
Power Supply Voltage
2.6
2.75
3.3
V
VIH
Input High Voltage
2.0
—
VDD + 0.3 (Note)
VIL
Input Low Voltage
-0.3 (Note)
—
0.4
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PDF描述 |
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