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参数资料
| 型号： | S71PL129JC0BFW9Z2 |
| 厂商： | SPANSION LLC |
| 元件分类： | 存储器 |
| 英文描述： | Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory |
| 中文描述： | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA64 |
| 封装： | 8 X 11.60 MM, 1.20 MM HEIGHT, LEAD FREE, FBGA-64 |
| 文件页数： | 149/153页 |
| 文件大小： | 3651K |
| 代理商： | S71PL129JC0BFW9Z2 |
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October 28, 2005 S71PL129Jxx_00_A8
S71PL129JC0/S71PL129JB0/S71PL129JA0
93
Advance
Informatio n
DC Characteristics
(16Mb pSRAM Page Mode)
Page Mode
Performance Grade
-60
-65
-70
Density
16Mb pSRAM
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Max
Units
Min
Max
Units
Min
Max
Units
VCC
Power Supply
2.7
3.3
V
2.7
3.3
V
2.7
3.3
V
VIH
Input High
Level
0.8 Vccq VCC + 0.2
V
0.8 Vccq VCC + 0.2
V
0.8 Vccq
VCC + 0.2
V
VIL
Input Low
Level
-0.2
0.2 Vccq
V
-0.2
0.2 Vccq
V
-0.2
0.2 Vccq
V
IIL
Input Leakage
Current
Vin = 0 to VCC
1A
1
A
1
A
ILO
Output
Leakage
Current
OE = VIH or
Chip Disabled
1A
1
A
1
A
VOH
Output High
Voltage
IOH = -1.0 mA
VV
V
IOH = -0.2 mA
IOH = -0.5 mA 0.8 Vccq
0.8 Vccq
VOL
Output Low
Voltage
IOL = 2.0 mA
VV
V
IOL = 0.2 mA
IOL = 0.5 mA
0.2 Vccq
IACTIVE
Operating
Current
VCC = 3.3 V
25
mA
25
mA
25
mA
ISTANDBY
Standby
Current
VCC = 3.0 V
A
VCC = 3.3 V
100
IDEEP
SLEEP
Deep Power
Down Current
10
A
10
A
10
A
IPAR 1/4
1/4 Array PAR
Current
65
A
65
A
65
A
IPAR 1/2
1/2 Array PAR
Current
80
A
80
A
80
A
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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