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参数资料
| 型号： | S71PL129JC0BFW9Z2 |
| 厂商： | SPANSION LLC |
| 元件分类： | 存储器 |
| 英文描述： | Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory |
| 中文描述： | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA64 |
| 封装： | 8 X 11.60 MM, 1.20 MM HEIGHT, LEAD FREE, FBGA-64 |
| 文件页数： | 44/153页 |
| 文件大小： | 3651K |
| 代理商： | S71PL129JC0BFW9Z2 |
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136
S71PL129JC0/S71PL129JB0/S71PL129JA0
S71PL129Jxx_00_A8 October 28, 2005
Advance
Info rmation
DC Characteristics
(Under Recommended Conditions Unless Otherwise Noted)
Notes:
1. All voltages are referenced to VSS.
2. DC Characteristics are measured after following POWER-UP timing.
3. IOUT depends on the output load conditions.
Parameter
Symbol
Test Conditions
16M
32M
64M
Unit
Min.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max.
Input Leakage
Current
ILI
VIN = VSS to VDD
-1.0
+1.0
-1.0
+1.0
-1.0
+1.0
μA
Output Leakage
Current
ILO
VOUT = VSS to VDD, Output Disable
-1.0
+1.0
-1.0
+1.0
-1.0
+1.0
μA
Output High
Voltage Level
VOH
VDD = VDD(min), IOH = –0.5mA
2.2
—
2.4
—
2.4
—
V
Output Low
Voltage Level
VOL
IOL = 1mA
—0.4
V
VDD Power
Down Current
IDDPS
VDD = VDD max.,
VIN = VIH or VIL,
CE2 ≤ 0.2 V
SLEEP
10
—
10
—
10
μA
IDDP4
4M Partial
N/A
—
40
N/A
μA
IDDP8
8M Partial
N/A
—
50
—
80
μA
IDDP16
16M Partial
N/A
—
100
μA
VDD Standby
Current
IDDS
VDD = VDD max.,
VIN = VIH or VIL
CE1 = CE2 = VIH
—
1
—1.5
mA
IDDS1
VDD = VDD max.,
VIN ≤ 0.2V or VIN ≥ VDD – 0.2V,
CE1 = CE2 ≥ VDD – 0.2V
TA< +85
°C
—100
—
80
—
170
μA
TA< +40
°C90
μA
VDD
Active Current
IDDA1
VDD = VDD max.,
VIN = VIH or VIL,
CE1 = VIL and CE2= VIH,
IOUT=0mA
tRC / tWC = min.
—20
—
30
—40
mA
IDDA2
tRC / tWC = 1μs—
3
—
3
—
5
mA
VDD Page
Read Current
IDDA3
VDD = VDD max., VIN = VIH or VIL,
CE1 = VIL and CE2= VIH,
IOUT=0mA, tPRC = min.
N/A
—
10
—
10
mA
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