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参数资料
| 型号： | S71PL129JC0BFW9Z2 |
| 厂商： | SPANSION LLC |
| 元件分类： | 存储器 |
| 英文描述： | Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory |
| 中文描述： | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA64 |
| 封装： | 8 X 11.60 MM, 1.20 MM HEIGHT, LEAD FREE, FBGA-64 |
| 文件页数： | 94/153页 |
| 文件大小： | 3651K |
| 代理商： | S71PL129JC0BFW9Z2 |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页第61页第62页第63页第64页第65页第66页第67页第68页第69页第70页第71页第72页第73页第74页第75页第76页第77页第78页第79页第80页第81页第82页第83页第84页第85页第86页第87页第88页第89页第90页第91页第92页第93页当前第94页第95页第96页第97页第98页第99页第100页第101页第102页第103页第104页第105页第106页第107页第108页第109页第110页第111页第112页第113页第114页第115页第116页第117页第118页第119页第120页第121页第122页第123页第124页第125页第126页第127页第128页第129页第130页第131页第132页第133页第134页第135页第136页第137页第138页第139页第140页第141页第142页第143页第144页第145页第146页第147页第148页第149页第150页第151页第152页第153页
October 28, 2005 S71PL129Jxx_00_A8
S71PL129JC0/S71PL129JB0/S71PL129JA0
43
Advance
Informatio n
Table 9. System Interface String
Addresses
Data
Description
1Bh
0027h
VCC Min. (write/erase)
D7–D4: volt, D3–D0: 100 millivolt
1Ch
0036h
VCC Max. (write/erase)
D7–D4: volt, D3–D0: 100 millivolt
1Dh
0000h
VPP Min. voltage (00h = no VPP pin present)
1Eh
0000h
VPP Max. voltage (00h = no VPP pin present)
1Fh
0003h
Typical timeout per single byte/word write 2N s
20h
0000h
Typical timeout for Min. size buffer write 2N
s (00h = not supported)
21h
0009h
Typical timeout per individual block erase 2N ms
22h
0000h
Typical timeout for full chip erase 2N ms (00h = not supported)
23h
0004h
Max. timeout for byte/word write 2N times typical
24h
0000h
Max. timeout for buffer write 2N times typical
25h
0004h
Max. timeout per individual block erase 2N times typical
26h
0000h
Max. timeout for full chip erase 2N times typical (00h = not supported)
Table 10. Device Geometry Definition
Addresses
Data
Description
27h
0018h (PL129J)
Device Size = 2N byte
28h
29h
0001h
0000h
Flash Device Interface description (refer to CFI publication 100)
2Ah
2Bh
0000h
Max. number of byte in multi-byte write = 2N
(00h = not supported)
2Ch
0003h
Number of Erase Block Regions within device
2Dh
2Eh
2Fh
30h
0007h
0000h
0020h
0000h
Erase Block Region 1 Information
(refer to the CFI specification or CFI publication 100)
31h
00FDh (PL129J)
Erase Block Region 2 Information
(refer to the CFI specification or CFI publication 100)
32h
33h
34h
0000h
0001h
35h
36h
37h
38h
0007h
0000h
0020h
0000h
Erase Block Region 3 Information
(refer to the CFI specification or CFI publication 100)
39h
3Ah
3Bh
3Ch
0000h
Erase Block Region 4 Information
(refer to the CFI specification or CFI publication 100)
Table 11. Primary Vendor-Specific Extended Query (Sheet 1 of 2)
Addresses
Data
Description
40h
41h
42h
0050h
0052h
0049h
Query-unique ASCII string “PRI”
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| S71PL129N | 制造商:SPANSION 制造商全称:SPANSION 功能描述:256/128/128兆位(16/8/8米x16位元)的CMOS 3.0电压只有同时读/写,页面模式闪存 |
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