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参数资料
| 型号： | S71PL129JC0BFW9Z2 |
| 厂商： | SPANSION LLC |
| 元件分类： | 存储器 |
| 英文描述： | Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory |
| 中文描述： | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA64 |
| 封装： | 8 X 11.60 MM, 1.20 MM HEIGHT, LEAD FREE, FBGA-64 |
| 文件页数： | 48/153页 |
| 文件大小： | 3651K |
| 代理商： | S71PL129JC0BFW9Z2 |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页当前第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页第61页第62页第63页第64页第65页第66页第67页第68页第69页第70页第71页第72页第73页第74页第75页第76页第77页第78页第79页第80页第81页第82页第83页第84页第85页第86页第87页第88页第89页第90页第91页第92页第93页第94页第95页第96页第97页第98页第99页第100页第101页第102页第103页第104页第105页第106页第107页第108页第109页第110页第111页第112页第113页第114页第115页第116页第117页第118页第119页第120页第121页第122页第123页第124页第125页第126页第127页第128页第129页第130页第131页第132页第133页第134页第135页第136页第137页第138页第139页第140页第141页第142页第143页第144页第145页第146页第147页第148页第149页第150页第151页第152页第153页
October 28, 2005 S71PL129Jxx_00_A8
S71PL129JC0/S71PL129JB0/S71PL129JA0
139
Advance
Informatio n
AC Characteristics
Power Down Parameters
Notes:
1. Applicable also to power-up.
2. Applicable when 4Mb and 8Mb Partial modes are programmed.
Other Timing Parameters
Notes:
1. Some data might be written into any address location if tCHWX(min) is not satisfied.
2. The Input Transition Time (tT) at AC testing is 5ns as shown in below. If actual tT is longer than 5ns, it can violate the AC
specification of some of the timing parameters.
Parameter
Symbol
16M
32M
64M
Unit
Note
Min.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max.
CE2 Low Setup Time for Power Down Entry
tCSP
10
—
10
—
10
—
ns
CE2 Low Hold Time after Power Down Entry
tC2LP
80
—
65
—
65
—
ns
CE1# High Hold Time following CE2 High after Power Down Exit
[SLEEP mode only]
tCHH
300
—
300
—
300
—
μs1
CE1# High Hold Time following CE2 High after Power Down Exit
[not in SLEEP mode]
tCHHP
N/A
1
—
1
—
μs2
CE1# High Setup Time following CE2 High after Power Down Exit
tCHS
0—
ns
1
Parameter
Symbol
16M
32M
64M
Unit
Note
Min.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max.
CE1# High to OE# Invalid Time for Standby Entry
tCHOX
10
—
10
—
10
—
ns
CE1# High to WE# Invalid Time for Standby Entry
tCHWX
10
—
10
—
10
—
ns
1
CE2 Low Hold Time after Power-up
tC2LH
50
—
50
—
50
—
μs
CE1# High Hold Time following CE2 High after Power-up
tCHH
300
—
300
—
300
—
μs
Input Transition Time
tT
125
1
25125
ns
2
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PDF描述 |
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