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参数资料
| 型号： | S71PL129JC0BFW9Z2 |
| 厂商： | SPANSION LLC |
| 元件分类： | 存储器 |
| 英文描述： | Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory |
| 中文描述： | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA64 |
| 封装： | 8 X 11.60 MM, 1.20 MM HEIGHT, LEAD FREE, FBGA-64 |
| 文件页数： | 147/153页 |
| 文件大小： | 3651K |
| 代理商： | S71PL129JC0BFW9Z2 |
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October 28, 2005 S71PL129Jxx_00_A8
S71PL129JC0/S71PL129JB0/S71PL129JA0
91
Advance
Informatio n
DC Characteristics
(8Mb pSRAM Asynchronous)
Asynchronous
Version
B
C
Performance Grade
-55
-70
Density
8Mb pSRAM
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Max
Units
Min
Max
Units
Min
Max
Units
VCC
Power Supply
2.7
3.3
V
2.7
3.6
V
2.7
3.3
V
VIH
Input High Level
2.2
VCC + 0.3
V
2.2
VCC + 0.3
V
0.8
VCC+0.3
V
VIL
Input Low Level
-0.3
0.6
V
-0.3
0.6
V
-0.3
0.4
V
IIL
Input Leakage
Current
Vin = 0 to VCC
0.5
A
0.5
A
0.5
A
ILO
Output Leakage
Current
OE = VIH or
Chip Disabled
0.5
A
0.5
A
0.5
A
VOH
Output High Voltage
IOH = -1.0 mA VCC-0.4
V
VCC-0.4
VV
IOH = -0.2 mA
0.8 VCCQ
IOH = -0.5 mA
VOL
Output Low Voltage
IOL = 2.0 mA
0.4
V
0.4
VV
IOL = 0.2 mA
0.2
IOL = 0.5 mA
IACTIVE Operating Current
VCC = 3.3 V
25
mA
23
mA
25
mA
ISTANDBY Standby Current
VCC = 3.0 V
60
A
60
A
70
A
VCC = 3.3 V
IDEEP
SLEEP
Deep Power Down
Current
xA
x
A
x
A
IPAR 1/4
1/4 Array PAR
Current
xA
x
A
x
A
IPAR 1/2
1/2 Array PAR
Current
xA
x
A
x
A
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PDF描述 |
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