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参数资料
| 型号： | S71PL129JC0BFW9Z2 |
| 厂商： | SPANSION LLC |
| 元件分类： | 存储器 |
| 英文描述： | Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory |
| 中文描述： | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA64 |
| 封装： | 8 X 11.60 MM, 1.20 MM HEIGHT, LEAD FREE, FBGA-64 |
| 文件页数： | 137/153页 |
| 文件大小： | 3651K |
| 代理商： | S71PL129JC0BFW9Z2 |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页第61页第62页第63页第64页第65页第66页第67页第68页第69页第70页第71页第72页第73页第74页第75页第76页第77页第78页第79页第80页第81页第82页第83页第84页第85页第86页第87页第88页第89页第90页第91页第92页第93页第94页第95页第96页第97页第98页第99页第100页第101页第102页第103页第104页第105页第106页第107页第108页第109页第110页第111页第112页第113页第114页第115页第116页第117页第118页第119页第120页第121页第122页第123页第124页第125页第126页第127页第128页第129页第130页第131页第132页第133页第134页第135页第136页当前第137页第138页第139页第140页第141页第142页第143页第144页第145页第146页第147页第148页第149页第150页第151页第152页第153页
82
S71PL129JC0/S71PL129JB0/S71PL129JA0
S71PL129Jxx_00_A8 October 28, 2005
Advance
Info rmation
DC Characteristics (Ta = -40°C to 85°C, VDD = 2.6 to 3.3 V) (See Note 3 to 4)
Capacitance (Ta = 25°C, f = 1 MHz)
Note: This parameter is sampled periodically and is not 100% tested.
AC Characteristics and Operating Conditions
(Ta = -40°C to 85°C, VDD = 2.6 to 3.3 V) (See Note 5 to 11)
Symbol
Parameter
Test Condition
Min
Typ.
Max
Unit
IIL
Input Leakage
Current
VIN = 0 V to VDD
-1.0
—
+1.0
A
ILO
Output Leakage
Current
Output disable, VOUT = 0 V to VDD
-1.0
—
+1.0
A
VOH
Output High Voltage
IOH = - 0.5 mA
2.0
V
VOL
Output Low Voltage
IOL = 1.0 mA
—
0.4
V
IDDO1 Operating Current
CE1#= VIL, CE2 = VIH, IOUT = 0
mA, tRC = min.
ET5UZ8A-43DS
—
40
mA
ET5VB5A-43DS
—
50
IDDO2
Page Access
Operating Current
CE1#= VIL, CE2 = VIH, IOUT = 0 mA
Page add. cycling, tRC = min.
—
25
mA
IDDS
Standby Current
(MOS)
CE1# = VDD - 0.2 V,
CE2 = VDD - 0.2 V
ET5UZ8A-43DS
—
70
mA
ET5VB5A-43DS
—
100
A
IDDSD
Deep Power-down
Standby Current
CE2 = 0.2 V
—
5
A
Symbol
Parameter
Test Condition
Max
Unit
CIN
Input Capacitance
VIN = GND
10
pF
COUT
Output Capacitance
VOUT = GND
10
pF
Symbol
Parameter
Min
Max
Unit
tRC
Read Cycle Time
70
10000
ns
tACC
Address Access Time
—
70
ns
tCO
Chip Enable (CE1#) Access Time
—
70
ns
tOE
Output Enable Access Time
—
25
ns
tBA
Data Byte Control Access Time
—
25
ns
tCOE
Chip Enable Low to Output Active
10
—
ns
tOEE
Output Enable Low to Output Active
0
—
ns
tBE
Data Byte Control Low to Output Active
0
—
ns
tOD
Chip Enable High to Output High-Z
—
20
ns
tODO
Output Enable High to Output High-Z
—
20
ns
tBD
Data Byte Control High to Output High-Z
—
20
ns
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