参数资料
型号: SDED7-256M-N9T
厂商: SANDISK CORP
元件分类: 存储控制器/管理单元
英文描述: FLASH MEMORY DRIVE CONTROLLER, PBGA115
封装: 12 X 9 MM, 1.20 MM HEIGHT, FBGA-115
文件页数: 32/87页
文件大小: 1675K
代理商: SDED7-256M-N9T
Rev. 1.2
Embedded TrueFFS Technology
mDOC H3 EFD Featuring Embedded TrueFFS Data Sheet
38
92-DS-1205-10
IPL RAM
(Host XIP)
00000h
32K /
4 X 8K
128K window
IPL RAM – Upper Area
(Host XIP)
IPL RAM Alias
(Host XIP)
IPL RAM Alias
(Host XIP)
10000h
18000h
32K /
4 X 8K
32K /
4 X 8K
0C000h
16K
H3 Registers
16K
08000h
1FFFFh
Secti
on
0
Sectio
n1
Secti
on
2
Se
ction
3
Figure 8: mDOC H3 128KB Memory Map
Note: In future mDOC H3, IPL RAM size is 8KB. For backward compatibility with the memory
map, each 32K window is composed of 8K IPL and 3 additional aliases.
相关PDF资料
PDF描述
SDED7-256M-N9Y FLASH MEMORY DRIVE CONTROLLER, PBGA115
SPMC68336AVFT20 32-BIT, MROM, 20.97 MHz, MICROCONTROLLER, PQFP160
SPMC68336GCFT20 32-BIT, MROM, 20.97 MHz, MICROCONTROLLER, PQFP160
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参数描述
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SDED7-512M-NAT 功能描述:IC MDOC H3 512MB FBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:150 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:4K (2 x 256 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 线串口 电源电压:2.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-VFDFN 裸露焊盘 供应商设备封装:8-DFN(2x3) 包装:管件 产品目录页面:1445 (CN2011-ZH PDF)
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